X2-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X2-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ are designed for high-efficiency and high-speed power switching applications. The Ultra-Junction X2-Class MOSFETs offer low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode. These MOSFETs are available in many standard industrial packages, including isolated types. Typical applications are switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics and servo controls.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A Ultra Junction X2-Class
Hoja de datos
268En existencias
300Se espera el 3/03/2027
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/34A OVERMOLDED TO-220
Hoja de datos
184En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
Hoja de datos
71En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
76En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
141En existencias
300Se espera el 15/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
42En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 2A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
95En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
87En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
157En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
27En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
340Se espera el 2/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-247-4L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-247-4L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25
MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A Ultra Junction X2-Class
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 650V/108A Ultra Junction X2-Class
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A OVERMOLDED TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3