Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ072N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
3,859En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ072N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ072N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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3,859En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.44

S/2.92

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

57 A

7.2 mOhms

20 V

3.3 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC008N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.32
3,276En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC008N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC008N06LM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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3,276En existencias

Cinta cortada

S/20.32

S/13.31

S/9.93

S/8.33

S/7.71

Envase tipo carrete

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

378 A

800 uOhms

20 V

2.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC025N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
3,951En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N06LM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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3,951En existencias

Cinta cortada

S/11.37

S/7.36

S/5.06

S/4.09

S/3.89

Envase tipo carrete

S/3.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

143 A

2.5 mOhms

20 V

2.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ023N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
3,842En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ023N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ023N06LM6ATMA

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Infineon Technologies

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3,842En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.52

S/5.88

S/4.90

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

149 A

2.3 mOhms

20 V

2.3 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

ISC007N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.73
4,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC007N06LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

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Hoja de datos

4,113En existencias

Cinta cortada

S/28.73

S/19.23

S/15.45

S/13.74

S/13.00

Envase tipo carrete

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

ISC007N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.95
5,000Se espera el 4/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC007N06NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

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Hoja de datos

5,000Se espera el 4/03/2027

Cinta cortada

S/30.95

S/20.79

S/15.03

S/12.65

S/12.14

Envase tipo carrete

S/11.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC009N06NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.11
4,000Se espera el 10/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC009N06NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC009N06NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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4,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/25.11

S/16.89

S/13.27

S/12.61

S/12.26

Envase tipo carrete

S/10.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

344 A

900 uOhms

20 V

3.3 V

121 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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