Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors

Toshiba SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors promote high-efficiency charging/discharging in small cell batteries. Improving a battery's reliability with low thermal impact is a key requirement for Li-ion batteries adopting fast charging. MOSFETs are generally used as switches in the charge/discharge protection circuit and are often built into a Li-ion battery pack.

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Resultados: 2

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Id - Corriente de drenaje continua

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TCSPAC N-CH 12V 13.5A SSM10N954L,EFF Toshiba 1: S/8.06 4,533En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM10N954L,EFF N.º de artículo de Mouser 757-SSM10N954LEFF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TCSPAC N-CH 12V 13.5A Obtenga más información sobre Toshiba ssm6n951l fet	Hoja de datos	4,533En existencias	Cinta cortada S/8.06 S/3.86 S/3.46 S/2.74 Ver Envase tipo carrete S/2.25 S/2.51 S/2.35 S/2.25 S/2.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000			Si	SMD/SMT	TCSPAC-153001-10	N-Channel	1 Channel	12 V	13.5 A		8 V	1.4 V	25 nC		+ 150 C	1.4 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch x 2 Common-drain MOSFET, 12V, 8A, 0.0051 Ohm@4.5V, TCSP6A-172101 SSM6N951L,EFF Toshiba 1: S/7.75 5,758En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6N951L,EFF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N951L,EFF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch x 2 Common-drain MOSFET, 12V, 8A, 0.0051 Ohm@4.5V, TCSP6A-172101 Obtenga más información sobre Toshiba ssm6n951l fet	Hoja de datos	5,758En existencias	Cinta cortada S/7.75 S/4.79 S/3.14 S/2.47 Envase tipo carrete S/1.63 Ver S/2.11 S/1.91 S/1.70 S/1.61	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000			Si	SMD/SMT		N-Channel	2 Channel	12 V	8 A	5.1 mOhms	8 V	1.4 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	700 mW	Enhancement	Reel, Cut Tape

SSM6N951L/SSM10N954L Field Effect Transistors

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