Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 Optimized 40V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimized 40V N-Channel Power MOSFETs are optimized motor drivers that offer tailored solutions for efficient power conversion in drives, power, and gardening tools. The Infineon 40V portfolio offers additional voltage nodes and low on-state resistance [RDS(on)] with standard package options, including PG-TDSON (PQFN 5mm x 6mm), PG-TSDSON (PQFN 3.3mm x 3.3mm), and PG-WSON-8 (PQFN 5mm x 6mm dual-side cooled). Target applications include motor control, battery management systems (BMS), cordless vacuum cleaners, gardening tools, and power tools.

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.

ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.71
7,074En existencias
4,000Se espera el 28/01/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH57N04NM7VSCATMA1

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726-ISCH57N04NM7VSCA

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S/20.71

S/13.58

S/10.12

S/8.49

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Envase tipo carrete

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

443 A

520 uOhms

20 V

3.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH75N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.54
2,522En existencias
Nuevo producto

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ISCH75N04NM7VSCATMA1

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726-ISCH75N04NM7VSCA

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Infineon Technologies

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S/16.54

S/8.45

S/7.67

S/6.42

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

339 A

650 uOhms

20 V

3.2 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH92N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.40
3,160En existencias
Nuevo producto

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ISCH92N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH92N04NM7VSCA

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Infineon Technologies

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S/14.40

S/7.24

S/6.58

S/5.33

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Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

289 A

820 uOhms

20 V

3.2 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC011N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.85
5,000En existencias
5,000Se espera el 24/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC011N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC011N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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S/9.85

S/4.79

S/4.24

S/3.43

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Envase tipo carrete

S/2.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

256 A

1.05 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC016N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
7,387En existencias
10,000Se espera el 24/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC016N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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Cinta cortada

S/6.66

S/3.16

S/2.81

S/2.21

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Envase tipo carrete

S/1.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

1.49 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH99N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
1,815En existencias
5,000En pedido
Nuevo producto

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ISCH99N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH99N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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S/10.35

S/5.10

S/4.59

S/3.66

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Envase tipo carrete

S/3.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

284 A

900 uOhms

20 V

3.15 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC012N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
687En existencias
25,000Se espera el 13/05/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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687En existencias

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S/8.37

S/4.75

S/3.59

S/3.02

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Envase tipo carrete

S/2.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

219 A

1.15 mOhms

20 V

3.15 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISZ015N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.72
459En existencias
25,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ015N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ015N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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25,000En pedido

Cinta cortada

S/8.72

S/4.52

S/3.60

S/2.66

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Envase tipo carrete

S/2.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

177 A

1.4 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH54N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.05
13,044En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
ISCH54N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH54N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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13,044En pedido

Cinta cortada

S/14.05

S/8.21

S/6.38

S/5.29

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Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

458 A

500 uOhms

20 V

3.15 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH69N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
10,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
ISCH69N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH69N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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S/12.46

S/7.63

S/5.53

S/4.52

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

357 A

650 uOhms

20 V

3.15 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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