Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 Optimized 40V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimized 40V N-Channel Power MOSFETs are optimized motor drivers that offer tailored solutions for efficient power conversion in drives, power, and gardening tools. The Infineon 40V portfolio offers additional voltage nodes and low on-state resistance [RDS(on)] with standard package options, including PG-TDSON (PQFN 5mm x 6mm), PG-TSDSON (PQFN 3.3mm x 3.3mm), and PG-WSON-8 (PQFN 5mm x 6mm dual-side cooled). Target applications include motor control, battery management systems (BMS), cordless vacuum cleaners, gardening tools, and power tools.

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.

ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.71
959En existencias
8,000Se espera el 13/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH57N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH57N04NM7VSCA

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Infineon Technologies

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S/20.71

S/13.58

S/10.12

S/8.49

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Envase tipo carrete

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

443 A

520 uOhms

20 V

3.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH75N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
2,207En existencias
Nuevo producto

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ISCH75N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH75N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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S/14.60

S/9.50

S/6.66

S/5.57

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Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

339 A

650 uOhms

20 V

3.2 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH92N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.34
2,779En existencias
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ISCH92N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH92N04NM7VSCA

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.53

S/4.59

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Envase tipo carrete

S/3.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

289 A

820 uOhms

20 V

3.2 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC011N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
4,636En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC011N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC011N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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S/10.12

S/6.50

S/4.44

S/3.76

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Envase tipo carrete

S/2.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

256 A

1.05 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH54N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.06
3,878En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH54N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH54N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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S/15.06

S/9.81

S/6.85

S/5.68

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Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

458 A

500 uOhms

20 V

3.15 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH99N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
3,913En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH99N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH99N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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Cinta cortada

S/11.37

S/7.32

S/4.98

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

284 A

900 uOhms

20 V

3.15 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC012N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.29
1,313En existencias
25,000Se espera el 3/12/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04NM7VATMA1

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726-ISC012N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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S/8.29

S/5.25

S/3.54

S/2.87

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Envase tipo carrete

S/2.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

219 A

1.15 mOhms

20 V

3.15 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC016N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
2,387En existencias
5,000Se espera el 20/08/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISC016N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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2,387En existencias

5,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/6.97

S/4.36

S/2.87

S/2.64

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

1.49 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISZ015N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.15
229En existencias
10,000Se espera el 27/08/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISZ015N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ015N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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229En existencias

10,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/9.15

S/5.84

S/3.93

S/2.97

Ver

Envase tipo carrete

S/2.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

177 A

1.4 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH69N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.85
10,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
ISCH69N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH69N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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Cinta cortada

S/12.85

S/8.29

S/5.68

S/4.63

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Envase tipo carrete

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

357 A

650 uOhms

20 V

3.15 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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