RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F 37,368En existencias
Cinta cortada
S/4.52
S/2.09
S/1.85
S/1.44
Envase tipo carrete
S/1.14
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 40,970En existencias
Cinta cortada
S/1.05
S/0.887
S/0.561
S/0.354
Envase tipo carrete
S/0.175
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: 8,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,772En existencias
Cinta cortada
S/1.60
S/1.10
S/0.697
S/0.44
Envase tipo carrete
S/0.249
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: 3,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 7,948En existencias
Cinta cortada
S/1.52
S/0.919
S/0.576
S/0.424
Envase tipo carrete
S/0.257
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,998En existencias
Cinta cortada
S/1.52
S/0.919
S/0.576
S/0.424
Envase tipo carrete
S/0.323
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,980En existencias
Cinta cortada
S/1.60
S/1.10
S/0.697
S/0.44
Envase tipo carrete
S/0.335
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: 3,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 5,540En existencias
Cinta cortada
S/2.96
S/1.82
S/1.17
S/0.891
Envase tipo carrete
S/0.603
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: 4,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,953En existencias
Cinta cortada
S/1.60
S/1.10
S/0.697
S/0.44
Envase tipo carrete
S/0.335
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,119En existencias
Cinta cortada
S/1.52
S/0.919
S/0.576
S/0.424
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S/0.323
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2,715En existencias
Cinta cortada
S/1.56
S/0.942
S/0.588
S/0.44
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S/0.265
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,985En existencias
Cinta cortada
S/1.56
S/0.942
S/0.588
S/0.44
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S/0.335
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: 3,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4,724En existencias
Cinta cortada
S/4.52
S/2.09
S/1.85
S/1.44
Envase tipo carrete
S/1.12
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: 3,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,688En existencias
Cinta cortada
S/2.96
S/1.82
S/1.17
S/0.891
Envase tipo carrete
S/0.603
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: 4,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,662En existencias
Cinta cortada
S/2.96
S/1.82
S/1.17
S/0.891
Envase tipo carrete
S/0.67
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: 4,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5,617En existencias
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S/2.72
S/1.69
S/1.08
S/0.821
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S/0.627
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 30,270En existencias
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S/2.30
S/1.59
S/1.00
S/0.631
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S/0.413
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: 4,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 5,633En existencias
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S/6.54
S/3.09
S/2.76
S/2.16
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S/1.73
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 136En existencias
6,000Se espera el 9/11/2026
Cinta cortada
S/1.25
S/0.763
S/0.716
S/0.487
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S/0.37
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 3,000En existencias
Cinta cortada
S/1.25
S/0.763
S/0.479
S/0.354
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S/0.272
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 3,000En existencias
Cinta cortada
S/1.25
S/0.763
S/0.479
S/0.354
Envase tipo carrete
S/0.257
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: 3,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 954En existencias
6,000Se espera el 23/10/2026
Cinta cortada
S/1.40
S/0.852
S/0.537
S/0.397
Envase tipo carrete
S/0.292
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: 3,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) 5,764En existencias
Cinta cortada
S/1.40
S/0.852
S/0.537
S/0.397
Envase tipo carrete
S/0.292
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: 3,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 7,585En existencias
Cinta cortada
S/1.40
S/0.852
S/0.537
S/0.397
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S/0.292
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: 3,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) 6,829En existencias
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S/1.25
S/0.763
S/0.479
S/0.354
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S/0.311
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: 3,000
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487En existencias
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S/1.32
S/0.81
S/0.506
S/0.374
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S/0.323
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: 3,000