BUKx Automotive MOSFETs

Nexperia BUKx Automotive MOSFETs are logic-level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. Designed and qualified to meet AEC-Q101 standards, the Nexperia BUKx MOSFETs are ideal for demanding automotive applications, including 12V systems, motor control, and start-stop micro-hybrid systems. The MOSFETs offer excellent thermal performance with a maximum operating temperature of +175°C, making the devices suitable for thermally challenging environments.

Resultados: 85
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y113-100E/SOT669/LFPAK 85,808En existencias
Cinta cortada
S/4.48
S/2.07
S/1.84
S/1.42
Envase tipo carrete
S/1.08
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Min.: 1
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: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 97 mOhms 15 V 1.7 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K18-40E/SOT1205/LFPAK56D 19,714En existencias
Cinta cortada
S/5.37
S/2.52
S/2.24
S/1.75
Envase tipo carrete
S/1.46
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 17.1 mOhms 15 V 1.7 V 14.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-80E/SOT669/LFPAK 8,117En existencias
Cinta cortada
S/4.32
S/1.99
S/1.70
S/1.36
Envase tipo carrete
S/1.12
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 37 A 22.2 mOhms 15 V 1.7 V 17.1 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK 5,657En existencias
Cinta cortada
S/7.55
S/3.62
S/3.23
S/2.56
S/2.23
Envase tipo carrete
S/2.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 5.4 mOhms 15 V 1.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D 4,123En existencias
Cinta cortada
S/7.28
S/3.48
S/3.11
S/2.46
Envase tipo carrete
S/2.10
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms 20 V 3 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y3R0-40E/SOT669/LFPAK 10,058En existencias
Cinta cortada
S/8.10
S/3.88
S/3.47
S/2.76
S/2.32
Envase tipo carrete
S/2.27
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.47 mOhms 15 V 1.7 V 35.5 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y59-60E/SOT669/LFPAK 1,429En existencias
Cinta cortada
S/3.39
S/1.52
S/1.34
S/1.02
Envase tipo carrete
S/0.712
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 38.2 mOhms 20 V 3 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K5R6-30E/SOT1205/LFPAK56D 1,518En existencias
Cinta cortada
S/9.30
S/4.59
S/4.01
S/3.09
Envase tipo carrete
S/2.70
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.76 mOhms 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y29-40E/SOT669/LFPAK 1,972En existencias
Cinta cortada
S/3.97
S/2.48
S/1.60
S/1.21
Envase tipo carrete
S/0.786
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 22.7 mOhms 20 V 3 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K32-100E/SOT1205/LFPAK56D 2,011En existencias
Cinta cortada
S/7.40
S/3.53
S/3.16
S/2.49
Envase tipo carrete
S/2.16
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 26 A 26.6 mOhms 15 V 1.7 V 27.3 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK 1,300En existencias
Cinta cortada
S/8.84
S/4.28
S/3.83
S/3.05
Envase tipo carrete
S/2.64
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 69 A 12.1 mOhms 15 V 1.7 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9611-80E/SOT404/D2PAK 4,219En existencias
Cinta cortada
S/12.26
S/6.15
S/5.49
S/4.24
Envase tipo carrete
S/4.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 75 A 11 mOhms 10 V 1.7 V 48.8 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R8-60RA/SOT669/LFPAK 839En existencias
Cinta cortada
S/11.29
S/5.72
S/4.98
S/4.13
S/3.31
Envase tipo carrete
S/3.30
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
SOT-669-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7613-60E/SOT404/D2PAK 4,798En existencias
4,800Se espera el 7/10/2026
Cinta cortada
S/9.89
S/4.83
S/4.36
S/3.27
Envase tipo carrete
S/2.96
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 58 A 9.44 mOhms 20 V 3 V 22.9 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K12-60E/SOT1205/LFPAK56D 3,243En existencias
Cinta cortada
S/9.03
S/4.40
S/3.93
S/3.12
Envase tipo carrete
S/2.73
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 9.3 mOhms 20 V 3 V 34.2 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K6R2-40E/SOT1205/LFPAK56D 4,440En existencias
Cinta cortada
S/7.71
S/3.69
S/3.30
S/2.61
Envase tipo carrete
S/2.27
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms 20 V 3 V 32.3 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y12-100E/SOT669/LFPAK 13,373En existencias
Cinta cortada
S/10.08
S/4.94
S/4.44
S/3.55
Envase tipo carrete
S/3.12
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.1 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y15-60E/SOT669/LFPAK 9,381En existencias
Cinta cortada
S/4.55
S/2.38
S/1.85
S/1.46
Envase tipo carrete
S/1.12
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 9.6 mOhms 20 V 3 V 25.41 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y4R8-60E/SOT669/LFPAK 8,229En existencias
9,000Se espera el 20/10/2026
Cinta cortada
S/10.04
S/4.94
S/4.44
S/3.54
Envase tipo carrete
S/3.11
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.8 mOhms 20 V 2.4 V 73.1 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y9R9-80E/SOT669/LFPAK 8,771En existencias
Cinta cortada
S/9.30
S/4.55
S/4.05
S/3.23
Envase tipo carrete
S/2.71
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 7.3 mOhms 20 V 3 V 51.6 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9637-100E/SOT404/D2PAK 4,676En existencias
Cinta cortada
S/9.54
S/4.67
S/4.16
S/3.33
Envase tipo carrete
S/2.94
S/2.85
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 31 mOhms 15 V 1.7 V 22.8 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK963R3-60E/SOT404/D2PAK 4,550En existencias
Cinta cortada
S/16.47
S/8.41
S/7.59
S/5.99
Envase tipo carrete
S/5.99
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.73 mOhms 15 V 1.7 V 95 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K29-100E/SOT1205/LFPAK56D 4,161En existencias
Cinta cortada
S/8.25
S/3.97
S/3.54
S/2.64
Envase tipo carrete
S/2.36
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 30 A 25.1 mOhms 15 V 1.7 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K8R7-40E/SOT1205/LFPAK56D 9,364En existencias
Cinta cortada
S/6.11
S/2.89
S/2.57
S/2.01
Envase tipo carrete
S/1.74
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.66 mOhms 15 V 1.7 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK 4,826En existencias
Cinta cortada
S/10.04
S/4.94
S/4.44
S/3.53
Envase tipo carrete
S/3.10
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 9.5 mOhms 15 V 1.7 V 64 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel