TP65H050G4YS

Renesas Electronics
227-TP65H050G4YS
TP65H050G4YS

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
35 A
60 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
132 W
Enhancement
SuperGaN
GaN
Marca: Renesas Electronics
Configuración: Cascode
Tiempo de caída: 8 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: GaN HEMT
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 40 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET is a 50mΩ Gallium Nitride (GaN)  normally-off device available in 4 Lead TO-247 package. This Gen IV SuperGaN FET uses Gen IV platform, which supports advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. The TP65H050G4YS 650V FET combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET for superior reliability and performance. This SuperGaN FET improves efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Typical applications include datacom broad industrial, PV inverter, and servo motor.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

En existencias: 560

Existencias:
560 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 40.68 S/ 40.68
S/ 24.06 S/ 240.60
S/ 20.40 S/ 2,040.00
S/ 17.71 S/ 10,626.00
S/ 17.40 S/ 20,880.00
3,000 Presupuesto

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