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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V NCH FRFET
Hoja de datos
8,831En existencias
Cinta cortada
S/ 29.97
S/ 20.05
S/ 16.11
S/ 14.32
Envase tipo carrete
S/ 12.81
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CH FRFET
Hoja de datos
323En existencias
S/ 33.36
S/ 22.11
S/ 18.68
S/ 16.85
S/ 15.14
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET FRFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V N-Channel
Hoja de datos
4,279En existencias
S/ 25.15
S/ 16.47
S/ 12.11
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 400 V 23 A 190 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement UniFET Tube