MRFE6VP61K25HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP61K25HR5
MRFE6VP61K25HR5

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 83

Existencias:
83 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/1,695.34 S/1,695.34
S/1,465.53 S/14,655.30
S/1,408.23 S/35,205.75
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 50)
S/1,373.55 S/68,677.50
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
NXP
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 600 MHz
24 dB
1.25 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: NXP Semiconductors
Transconductancia hacia delante - Mín.: 28 S
Número de canales: 2 Channel
Dp - Disipación de potencia : 1.333 kW
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: MRFE6VP61K25H
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: + 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
Alias de las piezas n.º: 935314411178
Peso de la unidad: 13.155 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor

NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.