Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/29.97 1,158En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R080G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R080G7XTM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	1,158En existencias	Cinta cortada S/29.97 S/16.54 S/14.79 S/13.94 S/13.66 Envase tipo carrete S/13.66 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	29 A	80 mOhms	20 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	174 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW IPT60R028G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/74.54 1,395En existencias 2,000Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPT60R028G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R028G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	1,395En existencias 2,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada S/74.54 S/47.37 S/47.25 S/44.69 S/42.31 Envase tipo carrete S/42.31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	75 A	28 mOhms	20 V	3 V	123 nC	- 55 C	+ 150 C	391 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW IPT60R102G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/23.55 1,097En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R102G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R102G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	1,097En existencias	Cinta cortada S/23.55 S/12.38 S/11.33 S/10.32 S/9.85 Envase tipo carrete S/9.73 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	88 mOhms	20 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	141 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/22.85 143En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R125G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R125G7XTM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	143En existencias	Cinta cortada S/22.85 S/12.92 S/11.17 S/8.68 S/8.17 Envase tipo carrete S/8.17	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	125 mOhms	20 V	3 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R050G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/44.30 14En existencias 2,000Se espera el 29/04/2027	N.º de artículo del Fabricante IPT60R050G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R050G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	14En existencias 2,000Se espera el 29/04/2027	Cinta cortada S/44.30 S/27.44 S/24.13 S/22.03 S/20.82 Envase tipo carrete S/20.82 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	44 A	50 mOhms	20 V	3 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/29.27 40En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R080G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R080G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	40En existencias	Cinta cortada S/29.27 S/15.73 S/14.40 S/13.78 S/13.00 Envase tipo carrete S/13.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	80 mOhms	30 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R150G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/19.89 48En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R150G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R150G7XTM1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW	Hoja de datos	48En existencias	Cinta cortada S/19.89 S/10.28 S/9.34 S/7.67 Envase tipo carrete S/7.28 Ver S/7.63 S/7.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	150 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	95 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R050G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/42.55 1,700Se espera el 27/05/2027	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R050G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R050G7XTM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	1,700Se espera el 27/05/2027	Cinta cortada S/42.55 S/23.67 S/22.54 S/21.33 Envase tipo carrete S/21.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	47 A	50 mOhms	20 V	3 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R190G7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/14.60 3,400Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R190G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R190G7XTM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	3,400Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada S/14.60 S/7.40 S/6.70 S/5.45 S/5.10 Envase tipo carrete S/5.10	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	190 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW IPT60R125G7XTMA1 Infineon Technologies 2,000: S/7.71 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IPT60R125G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R125G7XTMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	Envase tipo carrete S/7.71	Min.: 2,000 Mult.: 2,000 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	108 mOhms	20 V	3 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement		Reel

Filtros aplicados:

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