Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.

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Resultados: 7

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX7002BKH/SOT8001/DFN0606-3

NX7002BKHH
Nexperia
1: S/1.21
96,311En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NX7002BKHH

N.º de artículo de Mouser
771-NX7002BKHH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX7002BKH/SOT8001/DFN0606-3

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Cinta cortada

S/1.21

S/0.705

S/0.428

S/0.308

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Envase tipo carrete

S/0.179

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-1006-3

N-Channel

1 Channel

60 V

350 mA

2.8 Ohms

20 V

1.1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX138BKH/SOT8001/DFN0606-3

NX138BKHH
Nexperia
1: S/0.934
9,624Se espera el 28/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
NX138BKHH

N.º de artículo de Mouser
771-NX138BKHH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX138BKH/SOT8001/DFN0606-3

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9,624Se espera el 28/12/2026

Cinta cortada

S/0.934

S/0.416

S/0.362

S/0.265

Envase tipo carrete

S/0.156

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

60 V

380 mA

2.3 Ohms

20 V

1.5 V

500 pC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX5008NBKH/SOT8001/DFN0606-3

NX5008NBKHH
Nexperia
1: S/1.36
20,000Se espera el 20/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
NX5008NBKHH

N.º de artículo de Mouser
771-NX5008NBKHH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX5008NBKH/SOT8001/DFN0606-3

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20,000Se espera el 20/11/2026

Cinta cortada

S/1.36

S/0.934

S/0.592

S/0.374

Ver

Envase tipo carrete

S/0.218

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

50 V

350 mA

2.8 Ohms

8 V

900 mV

470 pC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMH1200UPE/SOT8001/DFN0606-3

PMH1200UPEH
Nexperia
1: S/1.40
10,000Se espera el 28/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
PMH1200UPEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH1200UPEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMH1200UPE/SOT8001/DFN0606-3

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10,000Se espera el 28/12/2026

Cinta cortada

S/1.40

S/0.607

S/0.529

S/0.401

S/0.393

Envase tipo carrete

S/0.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

30 V

520 mA

1.6 Ohms

10 V

950 mV

400 pC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMH550UNE/SOT8001/DFN0606-3

PMH550UNEH
Nexperia
1: S/1.40
10,000Se espera el 27/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
PMH550UNEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH550UNEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMH550UNE/SOT8001/DFN0606-3

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10,000Se espera el 27/11/2026

Cinta cortada

S/1.40

S/0.95

S/0.603

S/0.378

Ver

Envase tipo carrete

S/0.222

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

30 V

770 mA

670 mOhms

8 V

450 mV

400 pC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMH600UNE/SOT8001/DFN0606-3

PMH600UNEH
Nexperia
1: S/1.36
34,970En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMH600UNEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH600UNEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMH600UNE/SOT8001/DFN0606-3

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Cinta cortada

S/1.36

S/0.786

S/0.483

S/0.346

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Envase tipo carrete

S/0.199

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

620 mOhms

8 V

450 mV

310 pC

- 55 C

+ 150 C

625 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMH950UPE/SOT8001/DFN0606-3

PMH950UPEH
Nexperia
1: S/1.36
20,000Se espera el 27/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
PMH950UPEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH950UPEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMH950UPE/SOT8001/DFN0606-3

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Hoja de datos

20,000Se espera el 27/11/2026

Cinta cortada

S/1.36

S/0.938

S/0.596

S/0.374

S/0.327

Envase tipo carrete

S/0.218

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

20 V

530 mA

1.4 Ohms

8 V

950 mV

290 pC

- 55 C

+ 150 C

625 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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