Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Resultados: 10

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

DMN53D0L-7
Diodes Incorporated
1: S/1.17
394,423En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

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Hoja de datos

394,423En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.708

S/0.444

S/0.327

S/0.288

Envase tipo carrete

S/0.237

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p

DMN53D0LW-7
Diodes Incorporated
1: S/1.17
22,757En existencias
21,000Se espera el 31/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p

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22,757En existencias

21,000Se espera el 31/07/2026

Cinta cortada

S/1.17

S/0.708

S/0.514

S/0.378

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.288

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

2 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0L-13
Diodes Incorporated
1: S/1.36
76En existencias
10,000Se espera el 15/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0L-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0L-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

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76En existencias

10,000Se espera el 15/01/2027

Cinta cortada

S/1.36

S/0.852

S/0.529

S/0.378

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.331

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,880

: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
1: S/1.28
2,190En existencias
10,000Se espera el 17/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LDW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

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2,190En existencias

10,000Se espera el 17/03/2027

Cinta cortada

S/1.28

S/0.786

S/0.592

S/0.436

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.381

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,620

: 10,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

DMN53D0LQ-13
Diodes Incorporated
1: S/1.60
2,099En existencias
90,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

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2,099En existencias

90,000En pedido

Cinta cortada

S/1.60

S/0.969

S/0.607

S/0.452

Ver

Envase tipo carrete

S/0.346

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,230

: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

DMN53D0LQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.60
3,145En existencias
66,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

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66,000En pedido

Cinta cortada

S/1.60

S/0.969

S/0.607

S/0.452

S/0.393

Envase tipo carrete

S/0.292

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

DMN53D0LW-13
Diodes Incorporated
1: S/1.36
17,750En existencias
20,000Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

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17,750En existencias

20,000Se espera el 29/01/2027

Cinta cortada

S/1.36

S/0.942

S/0.599

S/0.378

Envase tipo carrete

S/0.218

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

2 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

DMN53D0LDW-7
Diodes Incorporated
1: S/1.44
146,742En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LDW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LDW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

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146,742En pedido

Cinta cortada

S/1.44

S/0.872

S/0.564

S/0.397

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.269

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs

DMN53D0U-7
Diodes Incorporated
1: S/1.44
56,490En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0U-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0U-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs

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56,490En pedido

Cinta cortada

S/1.44

S/0.884

S/0.568

S/0.397

S/0.35

Envase tipo carrete

S/0.284

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

300 mA

2 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

520 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0U-13
Diodes Incorporated
1: S/1.71
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0U-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0U-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/1.71

S/1.16

S/0.736

S/0.463

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Envase tipo carrete

S/0.206

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

300 mA

2 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

520 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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