MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

IXSA65N120L2-7TR
IXYS
1: S/46.83
815En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA65N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA65N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

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Hoja de datos

815En existencias

Cinta cortada

S/46.83

S/33.13

S/27.60

S/25.11

Envase tipo carrete

S/23.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

53 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH65N120L2KHV
IXYS
1: S/47.84
537En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH65N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH65N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

537En existencias

Cinta cortada

S/47.84

S/34.06

S/25.26

Envase tipo carrete

S/24.76

S/23.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 450

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

52 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA110N65L2-7TR
IXYS
1: S/50.99
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA110N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA110N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

S/50.99

S/35.50

S/28.22

Envase tipo carrete

S/26.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263

IXSA20N120L2-7TR
IXYS
1: S/30.40
894En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA20N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA20N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263

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894En existencias

Cinta cortada

S/30.40

S/20.59

S/15.03

Envase tipo carrete

S/13.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA40N65L2-7TR
IXYS
1: S/34.72
890En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA40N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA40N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

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890En existencias

Cinta cortada

S/34.72

S/23.71

S/17.44

Envase tipo carrete

S/16.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA60N65L2-7TR
IXYS
1: S/42.04
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA60N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA60N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

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900En existencias

Cinta cortada

S/42.04

S/28.96

S/22.23

Envase tipo carrete

S/20.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

IXSG110N65L2K
IXYS
1: S/50.99
2,090En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG110N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG110N65L2K

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IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

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2,090En existencias

Cinta cortada

S/50.99

S/35.50

S/28.22

S/26.39

Envase tipo carrete

S/26.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

IXSG40N65L2K
IXYS
1: S/34.33
2,095En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG40N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG40N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

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Cinta cortada

S/34.33

S/23.39

S/17.20

S/17.01

S/15.92

Envase tipo carrete

S/15.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

IXSG60N65L2K
IXYS
1: S/41.53
2,090En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG60N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG60N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

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Cinta cortada

S/41.53

S/28.61

S/21.88

S/20.44

Envase tipo carrete

S/20.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TTOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH100N65L2KHV
IXYS
1: S/51.93
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH100N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH100N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

550En existencias

S/51.93

S/36.20

S/27.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1200V N CH 20A

IXSH20N120L2KHV
IXYS
1: S/28.96
546En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH20N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH20N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC TO247 1200V N CH 20A

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546En existencias

Cinta cortada

S/28.96

S/19.58

S/12.85

Envase tipo carrete

S/12.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 450

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH40N65L2KHV
IXYS
1: S/35.27
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH40N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH40N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

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550En existencias

S/35.27

S/24.06

S/16.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH60N65L2KHV
IXYS
1: S/42.35
550En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IXSH60N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH60N65L2KHV

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IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

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550En existencias

S/42.35

S/29.19

S/21.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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