LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm 4,044En existencias
Cinta cortada
S/7.79
S/3.73
S/3.27
S/2.64
S/2.20
Envase tipo carrete
S/2.16
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 21 mOhms 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel 2,721En existencias
Cinta cortada
S/7.98
S/3.83
S/3.43
S/2.72
S/2.60
Envase tipo carrete
S/2.23
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms 20 V 2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel 4,104En existencias
Cinta cortada
S/8.52
S/4.13
S/3.54
S/2.92
S/2.57
Envase tipo carrete
S/2.44
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms 20 V 2 V 7 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel 1,321En existencias
Cinta cortada
S/8.80
S/4.28
S/3.81
S/3.04
S/2.84
Envase tipo carrete
S/2.55
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel 3,020En existencias
Cinta cortada
S/8.49
S/4.09
S/3.58
S/2.91
S/2.55
Envase tipo carrete
S/2.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms 20 V 3.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel 823En existencias
Cinta cortada
S/8.95
S/5.61
S/3.69
S/2.92
S/2.77
Envase tipo carrete
S/2.23
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 27.5 mOhms 20 V 2 V 2.7 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel 1,109En existencias
Cinta cortada
S/8.64
S/4.55
S/3.69
S/2.99
S/2.68
Envase tipo carrete
S/2.34
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms 20 V 3.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel 6,000Existencias en fábrica disponibles
Cinta cortada
S/10.28
S/5.14
S/4.52
S/3.68
S/3.47
Envase tipo carrete
S/3.00
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 138 A 2.3 mOhms 20 V 3.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel