Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

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Resultados: 19

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

SI8489EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
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SI8489EDB-T2-E1

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78-SI8489EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

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S/1.41

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SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

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5.4 A

36 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8499DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/5.14
12En existencias
9,000En pedido

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SI8499DB-T2-E1

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781-SI8499DB-T2-E1

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S/5.14

S/3.17

S/1.92

S/1.59

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S/1.18

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MicroFoot-6

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1.3 V

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+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8819EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
19En existencias
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SI8819EDB-T2-E1

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78-SI8819EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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S/1.65

S/1.09

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S/0.65

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SMD/SMT

MicroFoot-4

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1 Channel

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2.9 A

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- 8 V, 8 V

900 mV

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+ 150 C

900 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8406DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.78
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SI8406DB-T2-E1

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78-SI8406DB-T2-E1

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S/2.35

S/1.53

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S/0.911

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SMD/SMT

MicroFoot-6

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1 Channel

20 V

16 A

33 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

20 nC

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13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

SI8472DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.43
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SI8472DB-T2-E1

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78-SI8472DB-T2-E1

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S/3.43

S/2.13

S/1.38

S/1.05

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S/0.814

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SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

20 V

4.5 A

44 mOhms

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400 mV

18 nC

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT

SI8823EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
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21,208En existencias

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SI8823EDB-T2-E1

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78-SI8823EDB-T2-E1

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S/1.07

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S/0.615

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SMD/SMT

MicroFoot-4

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800 mV

17 nC

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+ 150 C

900 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8800EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.00
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SI8800EDB-T2-E1

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781-SI8800EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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S/1.86

S/1.19

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MicroFoot-4

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20 V

2.8 A

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400 mV

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900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8483DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
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78-SI8483DB-T2-E1

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S/1.74

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MicroFoot-6

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65 nC

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13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8416DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/4.52
19En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SI8416DB-T2-E1

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78-SI8416DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

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S/4.52

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S/1.85

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S/1.12

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MicroFoot-6

N-Channel

1 Channel

8 V

16 A

23 mOhms

- 5 V, 5 V

800 mV

17 nC

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+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

SI8424CDB-T1-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
3,397En existencias
6,000Se espera el 13/08/2026

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SI8424CDB-T1-E1

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78-SI8424CDB-T1-E1

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S/3.70

S/2.29

S/1.49

S/1.14

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S/0.907

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MicroFoot-4

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8 V

10 A

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- 5 V, 5 V

350 mV

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

SI8466EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.27
690En existencias
3,000Se espera el 6/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI8466EDB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8466EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

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S/3.27

S/2.18

S/1.41

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.747

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Min.: 1
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MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

8 V

5.4 A

43 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

13 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8806DB-T2-E1
Vishay / Siliconix
1: S/3.27
352En existencias
3,000Se espera el 6/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI8806DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8806DB-T2-E1

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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352En existencias

3,000Se espera el 6/08/2026

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S/3.27

S/2.04

S/1.32

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.775

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SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

12 V

3.9 A

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- 8 V, 8 V

400 mV

17 nC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8808DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/2.92
4,190En existencias
6,000Se espera el 7/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI8808DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8808DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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4,190En existencias

6,000Se espera el 7/08/2026

Cinta cortada

S/2.92

S/1.80

S/1.16

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.673

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

30 V

2.5 A

95 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

10 nC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8812DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.11
2,761En existencias
6,000Se espera el 6/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI8812DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8812DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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2,761En existencias

6,000Se espera el 6/08/2026

Cinta cortada

S/3.11

S/1.92

S/1.24

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

60 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

17 nC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8802DB-T2-E1
Vishay / Siliconix
1: S/2.72
940En existencias
9,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI8802DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
781-SI8802DB-T2-E1

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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940En existencias

9,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/2.72

S/1.68

S/1.07

S/0.814

Envase tipo carrete

S/0.607

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

8 V

3.5 A

54 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8497DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/4.09
2,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8497DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8497DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

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2,064En existencias

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S/4.09

S/2.56

S/1.67

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.00

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-6

P-Channel

1 Channel

30 V

13 A

43 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8817DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.04
7,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8817DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8817DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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7,805En existencias

Cinta cortada

S/3.04

S/1.87

S/1.21

S/0.919

Envase tipo carrete

S/0.681

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

20 V

2.9 A

61 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

SI8487DB-T1-E1
Vishay Semiconductors
1: S/5.18
2En existencias
21,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI8487DB-T1-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8487DB-T1-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

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2En existencias

21,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/5.18

S/3.08

S/2.11

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.28

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

30 V

7.7 A

25 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

SI8425DB-T1-E1
Vishay Semiconductors
1: S/5.10
16,990Se espera el 17/12/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI8425DB-T1-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8425DB-T1-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

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Hoja de datos

16,990Se espera el 17/12/2027

Cinta cortada

S/5.10

S/3.02

S/2.02

S/1.62

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

20 V

9.3 A

40 mOhms

- 10 V, 10 V

900 mV

110 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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