Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
1: S/3.19
521,491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K341NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K341NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

Obtenga más información

Hoja de datos

521,491En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.44

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K514NU,LF
Toshiba
1: S/3.81
4,945En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K514NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K514NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

4,945En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/1.77

S/1.56

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.876

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

8.9 mOhms

20 V

1.4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
1: S/2.02
58,728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K333R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K333RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

58,728En existencias

Cinta cortada

S/2.02

S/0.899

S/0.786

S/0.592

Envase tipo carrete

S/0.444

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

1 Channel

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

SSM3K345R,LF
Toshiba
1: S/1.95
22,627En existencias
27,000Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K345R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K345RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

Obtenga más información

Hoja de datos

22,627En existencias

27,000Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/1.95

S/0.864

S/0.755

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.413

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4 A

25 mOhms

8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: S/1.79
1,979En existencias
3,000Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,979En existencias

3,000Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/1.79

S/1.10

S/0.693

S/0.518

Envase tipo carrete

S/0.385

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

SSM6J507NU,LF
Toshiba
1: S/3.11
2,448En existencias
69,000Se espera el 11/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J507NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J507NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,448En existencias

69,000Se espera el 11/12/2026

Cinta cortada

S/3.11

S/1.44

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

20 mOhms

- 25 V, 20 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch

SSM6J511NU,LF
Toshiba
1: S/2.92
7,595En existencias
24,000Se espera el 12/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J511NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J511NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch

Obtenga más información

Hoja de datos

7,595En existencias

24,000Se espera el 12/03/2027

Cinta cortada

S/2.92

S/1.32

S/1.16

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

12 V

14 A

6.5 mOhms

10 V

1 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N67NU,LF
Toshiba
1: S/2.72
2,124En existencias
114,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N67NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N67NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

2,124En existencias

114,000En pedido

Cinta cortada

S/2.72

S/1.23

S/1.09

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.627

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

39.1 mOhms

- 8 V, 12 V

400 mV

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM6K361NU,LF
Toshiba
1: S/3.11
348,174En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K361NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K361NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

Obtenga más información

Hoja de datos

348,174En pedido

Cinta cortada

S/3.11

S/1.41

S/1.24

S/0.942

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

20 V

1.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K513NU,LF
Toshiba
1: S/3.39
38,183Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K513NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K513NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

38,183Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/3.39

S/1.53

S/1.35

S/1.03

Envase tipo carrete

S/0.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

6.5 mOhms

20 V

1.1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Semi Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte