Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.34 8,652En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K8CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K8CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	8,652En existencias	Cinta cortada S/ 6.34 S/ 3.01 S/ 2.68 S/ 2.30 S/ 2.14 Envase tipo carrete S/ 1.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	1.9 A	2.8 Ohms	30 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	42 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.68 2,080En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K0CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K0CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,080En existencias	Cinta cortada S/ 8.68 S/ 4.20 S/ 2.80 S/ 2.50 Envase tipo carrete S/ 2.50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	950 mOhms	20 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/ 11.09 648En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPA80R1K0CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R1K0CEXKSA2 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	648En existencias	S/ 11.09 S/ 8.33 S/ 5.49 S/ 3.75 Ver S/ 3.32 S/ 3.24 S/ 3.02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	2.19 Ohms	20 V	3 V	31 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R310CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/ 16.58 180En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPA80R310CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R310CEXKSA2 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	180En existencias	S/ 16.58 S/ 10.86 S/ 8.10 S/ 6.31 Ver S/ 6.11 S/ 5.92	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	16.7 A	250 mOhms	20 V	2.1 V	91 nC	- 40 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/ 13.97 7En existencias 500Se espera el 18/03/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R460CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R460CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	7En existencias 500Se espera el 18/03/2027	S/ 13.97 S/ 7.67 S/ 6.34 S/ 5.57 S/ 5.22	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10.8 A	460 mOhms	20 V	2.1 V	64 nC	- 40 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/ 11.87 105En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R650CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R650CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	105En existencias	S/ 11.87 S/ 5.92 S/ 5.41 S/ 4.24 Ver S/ 4.05 S/ 3.93	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	2.19 Ohms	20 V	3 V	45 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/ 8.37 121En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPA80R1K4CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R1K4CEXKSA2 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	121En existencias	S/ 8.37 S/ 6.93 S/ 4.55 S/ 4.24 Ver S/ 3.85 S/ 3.74 S/ 3.69 S/ 3.54	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	3.9 A	1.22 Ohms	20 V	2.1 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	31 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.21 Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K4CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K4CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas	Cinta cortada S/ 8.21 S/ 3.93 S/ 3.51 S/ 2.78 S/ 2.69 Envase tipo carrete S/ 2.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	3.9 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel

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