IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS-™T2 Power Transistors

Infineon Technologies IPG20N06 OptiMOS™ Power Transistors and IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS™-T2 Power Transistors are the newest additions to the OptiMOS product line. The Infineon IPG20N06 OptiMOS (55V), IPG20N06 OptiMOS-T2 (60V), and IPG20N04 OptiMOS-T2 (40V) devices are dual N-channel devices in a TDSON-8 package. These Infineon OptiMOS devices have a maximum operating temperature of 175ºC. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications.

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Hoja de datos
9,036En existencias
Cinta cortada
S/6.89
S/3.88
S/2.76
S/2.28
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Envase tipo carrete
S/1.94
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 12.2 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Hoja de datos
3,731En existencias
Cinta cortada
S/8.64
S/5.49
S/3.69
S/2.99
S/2.74
Envase tipo carrete
S/2.37
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.2 mOhms, 7.2 mOhms 16 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Hoja de datos
8,352En existencias
Cinta cortada
S/9.34
S/4.55
S/4.09
S/3.24
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Envase tipo carrete
S/2.73
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.6 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Hoja de datos
10,027En existencias
Cinta cortada
S/7.20
S/3.44
S/3.08
S/2.43
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Envase tipo carrete
S/1.94
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 11.6 mOhms 16 V 1.7 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
1,491En existencias
5,000En pedido
Cinta cortada
S/7.63
S/3.66
S/3.27
S/2.58
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Envase tipo carrete
S/2.10
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 50 mOhms 20 V 1.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
1,624En existencias
5,000Se espera el 19/10/2026
Cinta cortada
S/7.01
S/3.34
S/2.98
S/2.35
Ver
Envase tipo carrete
S/1.87
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 65 mOhms 20 V 1.6 V 12 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Hoja de datos
29,706Se espera el 15/04/2027
Cinta cortada
S/7.94
S/4.98
S/3.27
S/2.60
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Envase tipo carrete
S/1.97
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 26 mOhms 16 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
10,000Se espera el 29/10/2026
Cinta cortada
S/8.64
S/4.20
S/3.74
S/2.97
Envase tipo carrete
S/2.49
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 35 mOhms 20 V 1.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Cinta cortada
S/9.50
S/4.63
S/4.16
S/3.32
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Envase tipo carrete
S/2.84
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 8 mOhms 16 V 1.7 V 50 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel