Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Resultados: 199

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ460AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.56
1,064En existencias
3,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ460AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ460AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,064En existencias

3,000Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

S/8.56

S/4.13

S/3.70

S/2.94

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

60 V

64 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.77
1,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ968EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ968EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,816En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/3.23

S/2.88

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23.5 A

28 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ992EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.06
2,239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ992EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ992EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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2,239En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/3.87

S/3.46

S/2.74

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A

47 mOhms, 47 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ123ELP-T1_GE3
Vishay
1: S/9.61
1,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ123ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ123ELP-T1GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

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1,465En existencias

S/9.61

S/4.67

S/4.20

S/3.35

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

12 V

238 A

4 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ184EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.28
2,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ184EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ184EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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2,156En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/3.47

S/3.10

S/2.44

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

15 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ200EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
1,906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ200EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ200EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.28

S/3.47

S/3.10

S/2.45

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

20 V

20 A, 60 A

7.4 mOhms, 3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC, 43 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ264EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
96En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ264EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ264EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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96En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/4.75

S/4.28

S/3.40

S/3.30

Envase tipo carrete

S/2.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

60 V

54 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerPAK

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ433EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.14
1,442En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ433EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ433EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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1,442En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.22

S/3.50

S/2.78

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

75 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ443EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
2,789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ443EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ443EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/6.81

S/3.25

S/2.90

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.91

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ459EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.59
1,443En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ459EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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Comentarios de Producto

1,443En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.25

S/2.57

S/2.35

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ476EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.36
2,416En existencias
9,000Se espera el 7/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SQJ476EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ476EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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2,416En existencias

9,000Se espera el 7/01/2027

Cinta cortada

S/1.36

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

23 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ479EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
952En existencias
183,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ479EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ479EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

952En existencias

183,000En pedido

Cinta cortada

S/7.82

S/3.73

S/3.31

S/2.63

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ848EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.79
2,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ848EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ848EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

2,520En existencias

Cinta cortada

S/11.79

S/5.84

S/5.29

S/4.24

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ910AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.30
1,471En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ910AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,471En existencias

Cinta cortada

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

5.8 mOhms, 5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ914EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
458En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ914EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ914EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

458En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/3.69

S/3.30

S/2.61

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.37
1,496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ952EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,496En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/4.05

S/3.61

S/2.86

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

25 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.14
2,316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ990EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ990EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,316En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/3.93

S/3.50

S/2.78

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

100 V

17 A, 34 A

32.5 mOhms, 15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC, 30 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

SQJ850EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.51
701En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SQJ850EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ850EP-T1_GE3

Fin de vida útil

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

Hoja de datos

701En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/5.18

S/4.67

S/3.72

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ152EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.07
2,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ152EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ152EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

2,854En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/2.86

S/2.55

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.59

S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8L-4

N-Channel

1 Channel

40 V

114 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ110EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.55
117,000Se espera el 17/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
SQJ110EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ110EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

117,000Se espera el 17/06/2027

Cinta cortada

S/10.55

S/6.77

S/4.63

S/3.93

S/3.61

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101

SQJ160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.09
33,855En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ160EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ160EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101

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33,855En pedido

Cinta cortada

S/11.09

S/7.16

S/4.94

S/3.97

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

362 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ204EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.45
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ204EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ204EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

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3,000En pedido

Cinta cortada

S/8.45

S/4.09

S/3.65

S/2.90

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

3 mOhms, 8.3 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

20 nC, 50 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ912DEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.58
5,898En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ912DEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ912DEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

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5,898En pedido

Cinta cortada

S/6.58

S/3.12

S/2.78

S/2.18

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.70
6,000Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ963EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

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6,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/10.70

S/5.29

S/4.75

S/3.80

S/3.68

Envase tipo carrete

S/3.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

60 V

8 A

67 mOhms, 67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ136ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.04
11,828En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJ136ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ136ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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11,828En pedido

Cinta cortada

S/10.04

S/6.46

S/4.40

S/3.52

S/3.24

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

350 A

1.12 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
9.5 A, 15 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W