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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
614En existencias
S/ 48.66
S/ 26.90
S/ 25.46
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 26 mOhms 20 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,376En existencias
2,640Se espera el 23/09/2027
S/ 30.91
S/ 16.31
S/ 14.99
S/ 13.97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,756En existencias
S/ 27.36
S/ 14.64
S/ 13.39
S/ 12.73
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
284En existencias
720En pedido
S/ 42.55
S/ 23.16
S/ 21.45
S/ 21.33
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
61En existencias
Cinta cortada
S/ 35.11
S/ 19.42
S/ 17.87
S/ 17.56
Envase tipo carrete
S/ 15.69
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
160En existencias
240Se espera el 10/12/2026
S/ 38.38
S/ 25.18
S/ 18.41
S/ 18.37
S/ 17.83
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
752En existencias
S/ 14.56
S/ 9.50
S/ 6.89
S/ 5.80
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
338En existencias
S/ 13.20
S/ 6.62
S/ 5.96
S/ 4.79
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
748En existencias
S/ 14.52
S/ 7.32
S/ 6.62
S/ 5.37
S/ 5.22
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
41En existencias
500Se espera el 10/12/2026
S/ 31.57
S/ 17.05
S/ 15.65
S/ 14.36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
114En existencias
240Se espera el 1/03/2027
S/ 22.69
S/ 11.60
S/ 10.59
S/ 9.23
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
90En existencias
S/ 46.36
S/ 31.61
S/ 30.79
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
151En existencias
S/ 58.62
S/ 33.01
S/ 32.42
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
517En existencias
Cinta cortada
S/ 21.91
S/ 11.44
S/ 11.13
S/ 9.89
S/ 9.15
Envase tipo carrete
S/ 8.84
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 90 mOhms 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
4,000Se espera el 4/02/2027
Cinta cortada
S/ 49.12
S/ 35.54
S/ 29.62
S/ 26.39
Envase tipo carrete
S/ 24.95
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
500Se espera el 3/06/2027
S/ 18.49
S/ 9.58
S/ 8.68
S/ 7.08
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Cinta cortada
S/ 18.88
S/ 10.08
S/ 9.19
S/ 7.82
S/ 7.51
Envase tipo carrete
S/ 7.01
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
S/ 19.11
S/ 9.61
S/ 9.03
S/ 8.56
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube