Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

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Resultados: 22

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

2SK2009TE85LF
Toshiba
1: S/3.39
10,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK2009TE85LF

N.º de artículo de Mouser
757-2SK2009TE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

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Hoja de datos

10,161En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/1.55

S/1.37

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.806

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

30 V

200 mA

2 Ohms

20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

SSM3K09FU,LF
Toshiba
1: S/1.79
53,911En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K09FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K09FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

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Hoja de datos

53,911En existencias

Cinta cortada

S/1.79

S/0.794

S/0.693

S/0.623

Envase tipo carrete

S/0.533

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

1 Channel

30 V

400 mA

700 mOhms

20 V

1.1 V

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM3K16CT,L3F
Toshiba
1: S/1.09
93,422En existencias
50,000Se espera el 18/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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Hoja de datos

93,422En existencias

50,000Se espera el 18/09/2026

Cinta cortada

S/1.09

S/0.487

S/0.424

S/0.311

Envase tipo carrete

S/0.187

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-883-3

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

10 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.99
22,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L35FU(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L35FUTE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

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Hoja de datos

22,613En existencias

Cinta cortada

S/1.99

S/0.88

S/0.771

S/0.576

Envase tipo carrete

S/0.428

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

100 mA, 180 mA

11 Ohms

10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

SSM6N44FE,LM
Toshiba
1: S/1.56
32,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N44FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N44FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

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Hoja de datos

32,440En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/0.697

S/0.607

S/0.452

Envase tipo carrete

S/0.319

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM3K16FS,LF
Toshiba
1: S/0.895
1,247En existencias
15,000Se espera el 12/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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Hoja de datos

1,247En existencias

15,000Se espera el 12/02/2027

Cinta cortada

S/0.895

S/0.381

S/0.335

S/0.245

Envase tipo carrete

S/0.175

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

10 V

600 mV

+ 150 C

100 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V

SSM3K44FS,LF
Toshiba
1: S/1.01
6,899En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K44FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K44FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V

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Hoja de datos

6,899En existencias

Cinta cortada

S/1.01

S/0.444

S/0.385

S/0.284

Envase tipo carrete

S/0.202

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

2.2 Ohms

20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3J15FU,LF
Toshiba
1: S/0.895
4,607En existencias
24,000Se espera el 25/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J15FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

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4,607En existencias

24,000Se espera el 25/12/2026

Cinta cortada

S/0.895

S/0.397

S/0.346

S/0.253

Envase tipo carrete

S/0.183

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

20 V

1.1 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3J15FV,L3F
Toshiba
1: S/0.895
15,787En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J15FV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J15FVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

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Hoja de datos

15,787En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

S/0.895

S/0.381

S/0.335

S/0.245

Envase tipo carrete

S/0.128

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

20 V

1.1 V

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V

SSM3J35CT,L3F
Toshiba
1: S/1.09
12,014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J35CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J35CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V

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Hoja de datos

12,014En existencias

Cinta cortada

S/1.09

S/0.487

S/0.424

S/0.311

Envase tipo carrete

S/0.202

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-883-3

P-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

4.3 Ohms

10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

SSM3K15F,LF
Toshiba
1: S/0.934
1,443En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

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Hoja de datos

1,443En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/0.934

S/0.405

S/0.354

S/0.257

Envase tipo carrete

S/0.183

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-59-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3K16FU,LF
Toshiba
1: S/1.09
4,120En existencias
30,000Se espera el 8/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

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Hoja de datos

4,120En existencias

30,000Se espera el 8/01/2027

Cinta cortada

S/1.09

S/0.471

S/0.409

S/0.304

Envase tipo carrete

S/0.218

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

10 V

600 mV

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM3K16FV,L3F
Toshiba
1: S/0.856
14,510En existencias
32,000Se espera el 25/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16FV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16FVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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Hoja de datos

14,510En existencias

32,000Se espera el 25/12/2026

Cinta cortada

S/0.856

S/0.37

S/0.319

S/0.234

Envase tipo carrete

S/0.121

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

10 V

600 mV

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

SSM5N15FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.75
898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM5N15FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N15FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

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Hoja de datos

898En existencias

Cinta cortada

S/1.75

S/0.782

S/0.685

S/0.51

Envase tipo carrete

S/0.362

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-553-5

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

SSM5N15FU,LF
Toshiba
1: S/1.67
616En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM5N15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N15FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

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Hoja de datos

616En existencias

Cinta cortada

S/1.67

S/0.732

S/0.642

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.354

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

2.2 Ohms, 2.2 Ohms

20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V

SSM5P15FU,LF
Toshiba
1: S/1.67
4,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM5P15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5P15FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V

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Hoja de datos

4,700En existencias

Cinta cortada

S/1.67

S/0.732

S/0.642

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

20 V

1.7 V

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/2.18
3,937En existencias
8,000Se espera el 18/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P15FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P15FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

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Hoja de datos

3,937En existencias

8,000Se espera el 18/09/2026

Cinta cortada

S/2.18

S/0.965

S/0.845

S/0.634

Envase tipo carrete

S/0.455

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

8 Ohms

20 V

1.7 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q100

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6L35FE,LM
Toshiba
1: S/1.52
8,000Se espera el 21/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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Hoja de datos

8,000Se espera el 21/09/2026

Cinta cortada

S/1.52

S/0.67

S/0.584

S/0.436

Envase tipo carrete

S/0.308

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

100 mA, 180 mA

20 Ohms, 44 Ohms

10 V

400 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6N35FE,LM
Toshiba
1: S/1.40
12,000Se espera el 11/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

12,000Se espera el 11/01/2027

Cinta cortada

S/1.40

S/0.86

S/0.541

S/0.401

Ver

Envase tipo carrete

S/0.222

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

180 mA

20 Ohms, 20 Ohms

10 V

400 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM6N43FU,LF
Toshiba
1: S/1.63
5,999Se espera el 18/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N43FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N43FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

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Hoja de datos

5,999Se espera el 18/09/2026

Cinta cortada

S/1.63

S/0.724

S/0.634

S/0.471

Envase tipo carrete

S/0.444

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

500 mA

460 mOhms, 460 mOhms

20 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM5N16FU,LF
Toshiba
1: S/1.67
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM5N16FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N16FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/1.67

S/1.02

S/0.642

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.354

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

N-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

10 V

600 mV

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

SSM6P35FE,LM
Toshiba
1: S/2.02
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

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Cinta cortada

S/2.02

S/1.38

S/0.876

S/0.553

Envase tipo carrete

S/0.358

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

MOSVI

Reel, Cut Tape

π-MOS VI MOSFETs

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