Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl 6,252En existencias
Cinta cortada
S/18.22
S/9.38
S/8.52
S/6.89
Envase tipo carrete
S/6.89
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2.4 mOhms 16 V 2.5 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg 83En existencias
800Se espera el 25/02/2027
Cinta cortada
S/21.41
S/11.09
S/10.00
S/8.29
Envase tipo carrete
S/7.90
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.5 mOhms 20 V 1.8 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg 849En existencias
800Se espera el 23/09/2027
Cinta cortada
S/17.63
S/9.07
S/7.94
S/6.85
Envase tipo carrete
S/6.54
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2 mOhms 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg 88En existencias
800Se espera el 3/11/2026
Cinta cortada
S/15.84
S/9.03
S/7.20
S/5.25
Envase tipo carrete
S/5.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 2.4 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg 788En existencias
800Se espera el 15/04/2027
Cinta cortada
S/12.65
S/6.50
S/5.53
S/4.48
Envase tipo carrete
S/4.01
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 160 A 3.3 mOhms 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
2,998Se espera el 29/04/2027
S/14.13
S/7.12
S/6.42
S/6.07
S/5.18
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.8 mOhms 16 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
1,450En pedido
Cinta cortada
S/21.37
S/11.13
S/10.12
S/9.23
Envase tipo carrete
S/8.21
S/8.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel