Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
13,362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3585CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

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Hoja de datos

13,362En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/1.54

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.934

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.1 A, 3.9 A

58 mOhms, 195 mOhms

8 V

600 mV

3.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W, 1.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 NPCH 40V 10A

SI4564DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.10
3,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4564DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4564DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 NPCH 40V 10A

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Hoja de datos

3,331En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/4.13

S/3.46

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

9.2 A, 10 A

17.5 mOhms, 21 mOhms

20 V

800 mV, 1.2 V

20.5 nC, 41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W, 3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4554DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.45
500En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4554DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4554DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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Hoja de datos

500En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/5.45

S/3.34

S/2.20

S/1.73

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms, 27 mOhms

20 V

1 V, 1.2 V

13.3 nC, 41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W, 3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4599DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.23
62En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4599DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4599DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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Hoja de datos

62En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/6.23

S/3.85

S/2.53

S/1.99

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

5.8 A, 6.8 A

35.5 mOhms, 45 mOhms

20 V

1.2 V, 1.4 V

11.7 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W, 3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR

SI6562CDQ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.97
339En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SI6562CDQ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI6562CDQ-GE3

Fin de vida útil

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR

Hoja de datos

339En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/3.97

S/2.93

S/2.32

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

6.1 A, 6.7 A

22 mOhms, 30 mOhms

8 V

600 mV

15 nC, 34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W, 1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR

SI1016CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.97
31,399Se espera el 11/02/2028

N.º de artículo del Fabricante
SI1016CX-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1016CX-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR

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Hoja de datos

31,399Se espera el 11/02/2028

Cinta cortada

S/3.97

S/2.72

S/1.73

S/1.07

S/0.79

Envase tipo carrete

S/0.701

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SC-89-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

350 mA, 500 mA

396 mOhms, 756 mOhms

8 V

400 mV

1.3 nC, 1.65 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
21,814Se espera el 18/11/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI4532CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4532CDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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Hoja de datos

21,814Se espera el 18/11/2027

Cinta cortada

S/4.71

S/2.62

S/1.93

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.3 A, 6 A

47 mOhms, 89 mOhms

20 V

1 V

6 nC, 7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.78 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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