LFPAK P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia LFPAK P-Channel Trench MOSFETs are designed and qualified to AEC-Q101 standards for use in high-performance automotive applications. These MOSFETs feature high thermal power dissipation capability. The P-channel MOSFETs are available in an LFPAK56 (Power SO8) surface-mount device (SMD) plastic package. These Nexperia MOSFETs are suitable for thermally demanding environments due to the 175°C rating. Typical applications include reverse battery protection, power management, high-side load switch, and motor drive.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6Y10-30P/SOT669/LFPAK 5,365En existencias
Cinta cortada
S/ 7.51
S/ 3.57
S/ 3.13
S/ 2.48
Envase tipo carrete
S/ 2.09
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 10 mOhms 20 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6Y14-40P/SOT669/LFPAK 11,195En existencias
Cinta cortada
S/ 7.16
S/ 3.42
S/ 3.05
S/ 2.41
Envase tipo carrete
S/ 2.05
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 40 V 64 A 14 mOhms 20 V 3 V 42.7 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6Y24-40P/SOT669/LFPAK 14,974En existencias
Cinta cortada
S/ 5.88
S/ 2.76
S/ 2.46
S/ 1.92
Envase tipo carrete
S/ 1.62
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 40 V 39 A 24 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6Y33-60P/SOT669/LFPAK 2,971En existencias
Cinta cortada
S/ 7.36
S/ 3.52
S/ 3.15
S/ 2.48
Envase tipo carrete
S/ 2.20
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 33 mOhms 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMP033-60YE/SOT669/LFPAK 7,786En existencias
Cinta cortada
S/ 7.05
S/ 3.36
S/ 3.00
S/ 2.37
Envase tipo carrete
S/ 2.06
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 33 mOhms 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6Y19-30P/SOT669/LFPAK 2,973En existencias
Cinta cortada
S/ 5.88
S/ 2.77
S/ 2.46
S/ 1.93
Envase tipo carrete
S/ 1.66
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 19 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK6Y61-60P/SOT669/LFPAK 939En existencias
1,500Se espera el 2/11/2026
Cinta cortada
S/ 5.88
S/ 2.76
S/ 2.46
S/ 1.92
Envase tipo carrete
S/ 1.64
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT LFPAK-56-4 P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 61 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMP061-60YE/SOT669/LFPAK 127En existencias
3,000En pedido
Cinta cortada
S/ 5.76
S/ 2.71
S/ 2.41
S/ 1.88
Envase tipo carrete
S/ 1.50
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 61 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 175 C 66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel