Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

U-MOSIV MOSFETs

Toshiba U-MOSIV MOSFETs are offered in logic-level gate drive, low-voltage gate drive, and 10V gate drive variants in N-channel and P-channel polarity. The U-MOSIV MOSFETs offer low drain-source ON-resistance and low leakage current. These devices are offered in through-hole and surface mount packages and are ideal for motor driver, DC-DC converter, and switching voltage regulator applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ TPCP8011,LF Toshiba 1: S/6.77 1,836En existencias	N.º de artículo del Fabricante TPCP8011,LF N.º de artículo de Mouser 757-TPCP8011LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	1,836En existencias	Cinta cortada S/6.77 S/3.21 S/2.86 S/2.25 Envase tipo carrete S/1.89 Ver S/2.07 S/1.82 S/1.77 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PS-8	N-Channel	1 Channel	40 V	5 A	31.8 mOhms	20 V	2 V	11.8 nC	- 55 C	+ 175 C	1.96 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ TPCP8107,LF Toshiba 1: S/4.59 6,091En existencias 9,000Se espera el 2/03/2027	N.º de artículo del Fabricante TPCP8107,LF N.º de artículo de Mouser 757-TPCP8107LF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 MOQ=3000 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	6,091En existencias 9,000Se espera el 2/03/2027	Cinta cortada S/4.59 S/2.13 S/1.89 S/1.46 Envase tipo carrete S/1.14 Ver S/1.42 S/1.12 S/1.04 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PS-8	P-Channel	1 Channel	40 V	8 A	18 mOhms	- 20 V, 10 V	2 V	44.6 nC	- 55 C	+ 175 C	2.01 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package SSM3K131TU,LF Toshiba 1: S/3.15 3,109En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3K131TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K131TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	3,109En existencias	Cinta cortada S/3.15 S/1.44 S/1.27 S/1.16 Envase tipo carrete S/0.74 Ver S/0.973 S/0.732 S/0.65 S/0.611 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UFM-3	N-Channel	1 Channel	30 V	6 A	27.6 mOhms	20 V	2.5 V	10.1 nC	- 55 C	+ 150 C	800 mW	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V SSM6K406TU,LF Toshiba 1: S/3.78 2,900En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K406TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K406TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	2,900En existencias	Cinta cortada S/3.78 S/2.69 S/1.67 S/1.16 Envase tipo carrete S/0.759 Ver S/0.973 S/0.751 S/0.72 S/0.67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UF-6	N-Channel	1 Channel	30 V	4.4 A	25 mOhms	20 V	1.3 V	12.4 nC	- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz SSM6N7002BFE,LM Toshiba 1: S/1.13 3,479En existencias 32,000Se espera el 4/12/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6N7002BFE,LM N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N7002BFELM	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	3,479En existencias 32,000Se espera el 4/12/2026	Cinta cortada S/1.13 S/0.498 S/0.436 S/0.319 Envase tipo carrete S/0.222 Ver S/0.284 S/0.21 S/0.156 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	ES6-6	N-Channel	2 Channel	60 V	200 mA	2.1 Ohms	20 V	1.5 V		- 55 C	+ 150 C	150 mW	Enhancement		U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008 TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba 1: S/10.43 1,100En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK60S06K3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TK60S06K3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008 Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	1,100En existencias	Cinta cortada S/10.43 S/5.14 S/4.59 S/3.68 Envase tipo carrete S/3.50 Ver S/3.61 S/3.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	60 A	8 mOhms	20 V	2 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet SSM3K318R,LF Toshiba 1: S/2.96 14,968Se espera el 1/01/2027	N.º de artículo del Fabricante SSM3K318R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K318RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	14,968Se espera el 1/01/2027	Cinta cortada S/2.96 S/1.33 S/1.17 S/0.88 Envase tipo carrete S/0.67 Ver S/0.79 S/0.603 S/0.525 S/0.432 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	60 V	2.5 A	107 mOhms	20 V	2.8 V	7 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet SSM3K337R,LF Toshiba 1: S/3.19 11,120En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3K337R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	11,120En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SSM3K337R,LF Existencias: 0 En pedido: 5,120 Se espera el 23/10/2026 6,000 Se espera el 11/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 20 Semanas	Cinta cortada S/3.19 S/1.97 S/1.27 S/0.969 Envase tipo carrete S/0.747 Ver S/0.872 S/0.685 S/0.615 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	38 V	2 A	150 mOhms	20 V	700 mV	3 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054 TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba 1: S/8.21 6,000Se espera el 16/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TK8S06K3L(T6L1,NQ) N.º de artículo de Mouser 757-TK8S06K3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054 Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	6,000Se espera el 16/11/2026	Cinta cortada S/8.21 S/5.14 S/3.38 S/2.69 S/2.39 Envase tipo carrete S/2.05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	8 A	54 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	25 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V SSM3K347R,LF Toshiba 1: S/2.18 2,861En existencias 3,000Se espera el 19/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3K347R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K347RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	2,861En existencias 3,000Se espera el 19/10/2026	Cinta cortada S/2.18 S/0.977 S/0.856 S/0.642 Envase tipo carrete S/0.483 Ver S/0.627 S/0.475 S/0.378 S/0.335 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	38 V	2 A	280 mOhms	20 V	1.4 V	2.5 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V SSM3H137TU,LF Toshiba 1: S/2.92 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3H137TU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	No en existencias	Cinta cortada S/2.92 S/1.32 S/1.16 S/0.88 Envase tipo carrete S/0.876 Ver S/0.81 S/0.759 S/0.681	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UFM-3	N-Channel	1 Channel	34 V	2 A	240 mOhms	20 V	700 mV			+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSIV	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103 TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba 2,000: S/2.35 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TK35S04K3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TK35S04K3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103 Obtenga más información sobre Toshiba u mosiv mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete S/2.35 S/2.29	Min.: 2,000 Mult.: 2,000 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	35 A	10.3 mOhms						58 W		AEC-Q100	U-MOSIV	Reel

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