StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V are optimized for low and high switching frequencies, enabling design flexibility. These devices offer high power efficiency for improved overall system performance while having excellent robustness. Increased current ratings allow for higher current-carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices, translating to lower BOM costs and board savings. Applications include switch-mode power supplies (SMPS), motor drives, battery-powered devices, battery management, uninterruptible power supplies (UPS), light electric vehicles, power tools, gardening tools, adapters, and consumer applications.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
8,951En existencias
Cinta cortada
S/10.32
S/6.62
S/4.52
S/3.82
Envase tipo carrete
S/3.20
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
2,819En existencias
Cinta cortada
S/9.46
S/4.63
S/4.13
S/3.29
Envase tipo carrete
S/2.93
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 137 A 2.35 mOhms 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
3,717En existencias
Cinta cortada
S/8.68
S/4.20
S/3.76
S/2.99
Envase tipo carrete
S/2.61
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 99 A 3.05 mOhms 20 V 2.35 V 16 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
3,703En existencias
Cinta cortada
S/7.28
S/3.47
S/3.10
S/2.45
Envase tipo carrete
S/2.10
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 4.05 mOhms 20 V 2.35 V 13 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Hoja de datos
782En existencias
Cinta cortada
S/9.85
S/4.79
S/4.09
S/3.23
Envase tipo carrete
S/2.86
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 119 A 2.35 mOhms 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Hoja de datos
737En existencias
Cinta cortada
S/12.69
S/6.34
S/5.72
S/4.40
Envase tipo carrete
S/4.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 1.8 mOhms 20 V 2.35 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Hoja de datos
774En existencias
Cinta cortada
S/12.57
S/6.27
S/5.64
S/4.32
Envase tipo carrete
S/4.13
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.05 mOhms 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Hoja de datos
2,128En existencias
Cinta cortada
S/6.66
S/3.16
S/2.82
S/2.28
Envase tipo carrete
S/1.90
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.7 mOhms 20 V 2.35 V 10 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape