Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Perú

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg IRF2804PBF Infineon Technologies 1: S/ 8.45 3,462En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF2804PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF2804PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg	Hoja de datos	3,462En existencias	S/ 8.45 S/ 5.02 S/ 4.32 S/ 3.60	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	280 A	2 mOhms	20 V	2 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies 1: S/ 3.66 7,685En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6276TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET	Hoja de datos	7,685En existencias	Cinta cortada S/ 3.66 S/ 1.68 S/ 1.48 S/ 1.14 Envase tipo carrete S/ 0.872 Ver S/ 1.09 S/ 0.755 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000			Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	20 V	4.5 A	45 mOhms	12 V	1.8 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies 1: S/ 3.85 59,923En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRLTS6342TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLTS6342TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable	Hoja de datos	59,923En existencias	Cinta cortada S/ 3.85 S/ 2.54 S/ 1.57 S/ 1.02 Envase tipo carrete S/ 0.685 Ver S/ 0.81 S/ 0.611 S/ 0.572 S/ 0.467 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000			Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	30 V	8.3 A	17.5 mOhms	12 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	HEXFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies 1: S/ 4.28 12,850En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6376TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC	Hoja de datos	12,850En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLHS6376TRPBF Existencias: 0 En pedido: 850 Se espera el 24/06/2027 12,000 Se espera el 14/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 51 Semanas	Cinta cortada S/ 4.28 S/ 3.08 S/ 1.91 S/ 1.32 Ver Envase tipo carrete S/ 0.86 S/ 1.11 S/ 0.993 S/ 0.86 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000			Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	30 V	3.6 A	63 mOhms	12 V	1.8 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg IRFB4321PBF Infineon Technologies 1: S/ 19.38 Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IRFB4321PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB4321PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas	S/ 19.38 S/ 12.69 S/ 9.46 S/ 7.90 S/ 7.36	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	12 mOhms	30 V	1.8 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube