Reguladores de tensión LDO Point Reg SGL output 200mA 15V 3.3Vout
TAR5SB33(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/1.44
155,302 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TAR5SB33TE85LF
Toshiba
Reguladores de tensión LDO Point Reg SGL output 200mA 15V 3.3Vout
155,302 En existencias
1
S/1.44
10
S/0.989
25
S/0.876
100
S/0.755
3,000
S/0.599
6,000
Ver
250
S/0.697
500
S/0.666
1,000
S/0.634
6,000
S/0.58
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
1:
S/1.83
68,834 En existencias
50,000 Se espera el 29/07/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K56ACTL3F
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
68,834 En existencias
50,000 Se espera el 29/07/2026
1
S/1.83
10
S/1.10
100
S/0.697
500
S/0.522
10,000
S/0.315
20,000
Ver
1,000
S/0.413
5,000
S/0.378
20,000
S/0.288
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Carrete :10,000
Detalles
Reguladores de tensión LDO Low Dropout (LDO) Linear Voltage Regulator Iout: 300mA Pd: 420mW Vin: 6V Vout:3.0V
TCR3UM30A,LF(SE
Toshiba
1:
S/0.973
66,770 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TCR3UM30ALFSE
Toshiba
Reguladores de tensión LDO Low Dropout (LDO) Linear Voltage Regulator Iout: 300mA Pd: 420mW Vin: 6V Vout:3.0V
66,770 En existencias
1
S/0.973
10
S/0.654
25
S/0.576
100
S/0.494
250
Ver
10,000
S/0.378
250
S/0.455
500
S/0.432
1,000
S/0.413
2,500
S/0.389
5,000
S/0.378
10,000
S/0.378
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Detalles
Reguladores de tensión LDO Low Dropout (LDO) Linear Voltage Regulator Iout: 300mA Pd: 420mW Vin: 6V Vout:2.8V
TCR3UM28A,LF(SE
Toshiba
1:
S/0.973
78,310 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TCR3UM28ALFSE
Toshiba
Reguladores de tensión LDO Low Dropout (LDO) Linear Voltage Regulator Iout: 300mA Pd: 420mW Vin: 6V Vout:2.8V
78,310 En existencias
1
S/0.973
10
S/0.654
25
S/0.576
100
S/0.494
250
Ver
10,000
S/0.378
250
S/0.455
500
S/0.432
1,000
S/0.413
2,500
S/0.389
5,000
S/0.378
10,000
S/0.378
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Carrete :10,000
Detalles
Reguladores de tensión LDO Point Reg SGL output 200mA 15V 1.8 Vout
TAR5SB18(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/1.44
1,606 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TAR5SB18TE85LF
Toshiba
Reguladores de tensión LDO Point Reg SGL output 200mA 15V 1.8 Vout
1,606 En existencias
1
S/1.44
10
S/0.989
25
S/0.88
100
S/0.759
250
Ver
3,000
S/0.568
250
S/0.701
500
S/0.666
3,000
S/0.568
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
SSM6K514NU,LF
Toshiba
1:
S/3.81
5,081 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K514NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
5,081 En existencias
1
S/3.81
10
S/2.42
100
S/1.56
500
S/1.17
3,000
S/0.876
6,000
Ver
1,000
S/0.981
6,000
S/0.681
9,000
S/0.631
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Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
SSM3K36MFV,L3F
Toshiba
1:
S/1.48
70,271 En existencias
56,000 Se espera el 14/08/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K36MFVL3F
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
70,271 En existencias
56,000 Se espera el 14/08/2026
1
S/1.48
10
S/0.915
100
S/0.576
500
S/0.428
8,000
S/0.237
24,000
Ver
1,000
S/0.339
5,000
S/0.276
24,000
S/0.222
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Carrete :8,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
SSM6J501NU,LF
Toshiba
1:
S/2.72
96,468 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J501NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
96,468 En existencias
1
S/2.72
10
S/1.69
100
S/1.09
500
S/0.821
3,000
S/0.627
6,000
Ver
1,000
S/0.74
6,000
S/0.572
9,000
S/0.494
24,000
S/0.479
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Reguladores de tensión LDO Point Reg SGL output 200mA 15V 5V out
TAR5SB50(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/1.44
1,873 En existencias
3,000 Se espera el 14/08/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TAR5SB50TE85LF
Toshiba
Reguladores de tensión LDO Point Reg SGL output 200mA 15V 5V out
1,873 En existencias
3,000 Se espera el 14/08/2026
1
S/1.44
10
S/0.989
25
S/0.88
100
S/0.759
3,000
S/0.599
6,000
Ver
250
S/0.701
500
S/0.666
1,000
S/0.638
6,000
S/0.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Amplificadores operacionales - Op Amps CMOS Op-amp +/-1.1V to +/-2.75V
TC75S67TU,LF
Toshiba
1:
S/1.17
8,416 En existencias
9,000 Se espera el 25/11/2026
N.º de artículo de Mouser 757-TC75S67TULF
Toshiba
Amplificadores operacionales - Op Amps CMOS Op-amp +/-1.1V to +/-2.75V
8,416 En existencias
9,000 Se espera el 25/11/2026
1
S/1.17
10
S/0.794
25
S/0.708
100
S/0.607
3,000
S/0.475
6,000
Ver
250
S/0.561
500
S/0.529
1,000
S/0.506
6,000
S/0.459
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
SSM3J35AMFV,L3F
Toshiba
1:
S/0.895
22,204 En existencias
48,000 Se espera el 7/08/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J35AMFVL3F
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
22,204 En existencias
48,000 Se espera el 7/08/2026
1
S/0.895
10
S/0.557
100
S/0.346
500
S/0.253
8,000
S/0.132
24,000
Ver
1,000
S/0.199
5,000
S/0.16
24,000
S/0.125
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :8,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET
SSM3J56ACT,L3F
Toshiba
1:
S/1.83
15,156 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J56ACTL3F
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET
15,156 En existencias
1
S/1.83
10
S/1.11
100
S/0.705
500
S/0.525
10,000
S/0.304
20,000
Ver
1,000
S/0.42
5,000
S/0.37
20,000
S/0.28
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :10,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
TK18A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1:
S/18.68
91 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK18A50DSTA4QM
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27
91 En existencias
1
S/18.68
10
S/9.61
100
S/8.52
500
S/7.16
1,000
S/7.12
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
SSM3J351R,LF
Toshiba
1:
S/3.97
196,611 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
196,611 En pedido
Ver fechas
En pedido:
40,611 Pendiente
156,000 Se espera el 14/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas
1
S/3.97
10
S/2.72
100
S/1.73
500
S/1.07
3,000
S/0.681
6,000
Ver
1,000
S/0.806
6,000
S/0.603
9,000
S/0.525
24,000
S/0.432
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
SSM6K513NU,LF
Toshiba
1:
S/3.19
1,151 En existencias
39,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K513NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
1,151 En existencias
39,000 En pedido
1
S/3.19
10
S/1.97
100
S/1.27
500
S/0.969
3,000
S/0.747
6,000
Ver
1,000
S/0.872
6,000
S/0.685
9,000
S/0.615
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Perú
