Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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Resultados: 12

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC034N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/9.23 1,354En existencias 15,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC034N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC034N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	1,354En existencias 15,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC034N08NM7ATMA1 Existencias: 1,354 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10,000 Se espera el 8/10/2026 5,000 Se espera el 1/07/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/9.23 S/5.14 S/3.97 S/3.19 Envase tipo carrete S/2.36 Ver S/3.11 S/3.05 S/2.21	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	122 A	3.4 mOhms	20 V	3.2 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V ISC040N10NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/12.22 5,316En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC040N10NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC040N10NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n channel optimos 7 power mosfets	Hoja de datos	5,316En existencias	Cinta cortada S/12.22 S/6.19 S/5.45 S/4.40 Ver Envase tipo carrete S/3.80 S/4.24 S/4.16 S/3.80	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	130 A	4 mOhms	20 V	3.2 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V ISC024N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/12.61 147En existencias 20,000En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC024N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC024N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	147En existencias 20,000En pedido	Cinta cortada S/12.61 S/6.46 S/5.68 S/4.67 Ver Envase tipo carrete S/3.50 S/4.48 S/4.32 S/3.50	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	167 A	2.4 mOhms	20 V	3.2 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: S/17.44 14,313En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH46NE2LM7ZCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	14,313En existencias	Cinta cortada S/17.44 S/8.91 S/8.10 S/6.89 S/6.62 Envase tipo carrete S/6.46	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	430 A	480 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: S/14.32 5,883En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH64NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,883En existencias	Cinta cortada S/14.32 S/8.41 S/6.54 S/5.49 S/5.25 Envase tipo carrete S/4.79	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	348 A	640 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: S/17.05 5,736En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,736En existencias	Cinta cortada S/17.05 S/8.72 S/7.90 S/6.66 S/6.42 Envase tipo carrete S/6.27	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	298 A	500 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.94 4,955En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH50NE2LM7ZCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,955En existencias	Cinta cortada S/10.94 S/5.76 S/5.06 S/4.20 Ver Envase tipo carrete S/3.75 S/4.05 S/3.97 S/3.75	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	422 A	500 uOhms	12 V	1.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.55 4,897En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH54NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH54NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,897En existencias	Cinta cortada S/10.55 S/5.61 S/4.94 S/4.05 Ver Envase tipo carrete S/3.61 S/3.97 S/3.89 S/3.61	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	406 A	540 uOhms	16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.28 4,965En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH68NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH68NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,965En existencias	Cinta cortada S/10.28 S/5.02 S/4.52 S/3.62 Ver Envase tipo carrete S/3.16 S/3.53 S/3.38 S/3.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	338 A	680 uOhms	16 V	2 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 Infineon Technologies 1: S/12.22 5,674En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH80NE2LM7UCGS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	5,674En existencias	Cinta cortada S/12.22 S/6.07 S/5.49 S/4.44 Ver Envase tipo carrete S/4.01 S/4.36 S/4.16 S/4.01	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	282 A	800 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.99 4,923En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQEH84NE2LM7UCGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQEH84NE2LM7UCGA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 25v mosfets	Hoja de datos	4,923En existencias	Cinta cortada S/8.99 S/4.40 S/3.93 S/3.12 Ver Envase tipo carrete S/2.64 S/3.02 S/2.91 S/2.64 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	25 V	275 A	840 uOhms	16 V	2 V	17.2 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 ISC019N08NM7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.82 Plazo de entrega 53 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC019N08NM7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC019N08NM7ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon n ch optimos 7 80v mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega 53 Semanas	Cinta cortada S/13.82 S/9.03 S/6.46 S/5.41 S/5.22 Envase tipo carrete S/4.71	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	209 A	1.9 mOhms	20 V	3.2 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

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