Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
7,617En existencias
5,000Se espera el 22/04/2027
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ISC034N08NM7ATMA1

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726-ISC034N08NM7ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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Cinta cortada

S/9.23

S/5.84

S/3.97

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.91

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

122 A

3.4 mOhms

20 V

3.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
361En existencias
10,000En pedido
Nuevo producto

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ISC024N08NM7ATMA1

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726-ISC024N08NM7ATMA

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Cinta cortada

S/13.78

S/8.99

S/6.31

S/5.29

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

167 A

2.4 mOhms

20 V

3.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.44
14,685En existencias
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IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

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726-IQEH46NE2LM7ZCGS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Cinta cortada

S/17.44

S/11.48

S/8.10

S/6.89

S/6.62

Envase tipo carrete

S/6.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

480 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.32
5,918En existencias
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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

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S/14.32

S/9.34

S/6.54

S/5.49

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Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.05
5,201En existencias
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IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

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S/17.05

S/11.21

S/7.90

S/6.66

S/6.23

Envase tipo carrete

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

500 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.17
4,975En existencias
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IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

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S/11.17

S/7.24

S/5.06

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
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4,897En existencias
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IQEH54NE2LM7UCGATMA1

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S/10.82

S/7.01

S/5.02

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

406 A

540 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
4,965En existencias
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IQEH68NE2LM7UCGATMA1

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726-IQEH68NE2LM7UCGA

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S/10.28

S/6.62

S/4.52

S/3.62

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

338 A

680 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.22
5,710En existencias
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

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726-IQEH80NE2LM7UCGS

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S/7.94

S/5.49

S/4.44

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Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
4,958En existencias
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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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4,958En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.80

S/3.93

S/3.12

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

275 A

840 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

ISC019N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.82
4,700En existencias
4,600Se espera el 24/08/2026
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ISC019N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N08NM7ATMA

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S/13.82

S/9.03

S/6.46

S/5.41

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

1.9 mOhms

20 V

3.2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

ISC040N10NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.03
369En existencias
5,000Se espera el 3/09/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISC040N10NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC040N10NM7ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

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369En existencias

5,000Se espera el 3/09/2026

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S/12.03

S/7.75

S/5.29

S/4.32

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S/3.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

4 mOhms

20 V

3.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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