Semiconductores discretos

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TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta
IGBTs IGBT PRODUCTS IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/14.40 1,425En existencias	N.º de artículo del Fabricante IGB50N65H5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGB50N65H5ATMA1	Infineon Technologies	IGBTs IGBT PRODUCTS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	1,425En existencias	Cinta cortada S/14.40 S/9.42 S/6.58 S/5.37 Envase tipo carrete S/5.02	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	IGBT Transistors	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBTs INDUSTRY IKB40N65EH5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/18.68 1,270En existencias	N.º de artículo del Fabricante IKB40N65EH5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IKB40N65EH5ATMA1	Infineon Technologies	IGBTs INDUSTRY Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	1,270En existencias	Cinta cortada S/18.68 S/12.46 S/8.91 S/7.71 Envase tipo carrete S/7.12	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	IGBT Transistors	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 1: S/29.00 515En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IKW50N65RH5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IKW50N65RH5XKSA1 NRND	Infineon Technologies	IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	515En existencias	S/29.00 S/16.70 S/13.97 S/13.16 S/13.00	Min.: 1 Mult.: 1	IGBT Transistors	Si	Through Hole	TO-247-3
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 1: S/31.84 279En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IKZA50N65RH5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IKZA50N65RH5XKSA NRND	Infineon Technologies	IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	279En existencias	S/31.84 S/18.45 S/15.49 S/14.71	Min.: 1 Mult.: 1	IGBT Transistors	Si	Through Hole	TO-247-4
IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 1: S/25.57 480En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IKW40N65RH5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IKW40N65RH5XKSA1 NRND	Infineon Technologies	IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	480En existencias	S/25.57 S/14.56 S/12.07 S/10.98	Min.: 1 Mult.: 1	IGBT Transistors	Si	Through Hole
IGBTs DISCRETE SWITCHES AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/22.62 382En existencias	N.º de artículo del Fabricante AIKB50N65DH5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-AIKB50N65DH5ATMA	Infineon Technologies	IGBTs DISCRETE SWITCHES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	382En existencias	Cinta cortada S/22.62 S/15.10 S/11.29 S/9.89 Envase tipo carrete S/9.30	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	IGBT Transistors	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBTs DISCRETE SWITCHES AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/19.15 396En existencias	N.º de artículo del Fabricante AIKB40N65DH5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-AIKB40N65DH5ATMA	Infineon Technologies	IGBTs DISCRETE SWITCHES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	396En existencias	Cinta cortada S/19.15 S/12.61 S/9.19 S/7.82 Envase tipo carrete S/7.08	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	IGBT Transistors	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
Módulos IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 Infineon Technologies 1: S/311.63 8En existencias	N.º de artículo del Fabricante FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 N.º de artículo de Mouser 726-FS3L40R07W2H5FB1	Infineon Technologies	Módulos IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon easypack 2b power modules	Hoja de datos	8En existencias	S/311.63 S/250.09 S/237.56	Min.: 1 Mult.: 1	IGBT Modules	Si
IGBTs DISCRETE SWITCHES AIGB15N65H5ATMA1 Infineon Technologies 1,000: S/19.07 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante AIGB15N65H5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-AIGB15N65H5ATMA1 NRND	Infineon Technologies	IGBTs DISCRETE SWITCHES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	Envase tipo carrete S/19.07	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	IGBT Transistors	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBTs DISCRETE SWITCHES AIGB30N65H5ATMA1 Infineon Technologies 1,000: S/8.25 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante AIGB30N65H5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-AIGB30N65H5ATMA1 NRND	Infineon Technologies	IGBTs DISCRETE SWITCHES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete S/8.25	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	IGBT Transistors	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBTs DISCRETE SWITCHES AIGB40N65H5ATMA1 Infineon Technologies 1,000: S/8.87 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante AIGB40N65H5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-AIGB40N65H5ATMA1 NRND	Infineon Technologies	IGBTs DISCRETE SWITCHES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete S/8.87	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	IGBT Transistors	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBTs DISCRETE SWITCHES AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies 1,000: S/10.63 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante AIGB50N65H5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-AIGB50N65H5ATMA1 NRND	Infineon Technologies	IGBTs DISCRETE SWITCHES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete S/10.63	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	IGBT Transistors	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 1: S/38.73 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IKW75N65RH5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IKW75N65RH5XKSA1 NRND	Infineon Technologies	IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	S/38.73 S/23.16 S/19.58 S/18.14	Min.: 1 Mult.: 1	IGBT Transistors	Si	Through Hole	TO-247-3
IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKZA40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 240: S/13.70 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IKZA40N65RH5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IKZA40N65RH5XKSA NRND	Infineon Technologies	IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	S/13.70 S/12.85	Min.: 240 Mult.: 240	IGBT Transistors	Si	Through Hole
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 240: S/19.58 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IKZA75N65RH5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IKZA75N65RH5XKSA NRND	Infineon Technologies	IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	S/19.58	Min.: 240 Mult.: 240	IGBT Transistors	Si	Through Hole	TO-247-4

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