Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

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Resultados: 12

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.7A, Pd: 0.5W SSM3J65CTC,L3F Toshiba 1: S/1.83 18,756En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J65CTC,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J65CTCL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.7A, Pd: 0.5W Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii mosfets	Hoja de datos	18,756En existencias	Cinta cortada S/1.83 S/0.806 S/0.705 S/0.525 Envase tipo carrete S/0.331 Ver S/0.518 S/0.514 S/0.475 S/0.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000	Si	SMD/SMT	CST3C-3	P-Channel	1 Channel	20 V	700 mA	500 mOhms	10 V	1 V			+ 150 C	500 mW	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A SSM3J338R,LF Toshiba 1: S/2.22 91,795En existencias 213,000Se espera el 1/01/2027	N.º de artículo del Fabricante SSM3J338R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J338RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii mosfets	Hoja de datos	91,795En existencias 213,000Se espera el 1/01/2027	Cinta cortada S/2.22 S/0.989 S/0.868 S/0.65 Envase tipo carrete S/0.49 Ver S/0.424 S/0.37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F	P-Channel	1 Channel	12 V	6 A	17.6 mOhms	8 V	300 mV			+ 150 C	1 W	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V SSM3J355R,LF Toshiba 1: S/1.91 97,526En existencias 60,000Se espera el 2/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3J355R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J355RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	97,526En existencias 60,000Se espera el 2/10/2026	Cinta cortada S/1.91 S/0.841 S/0.736 S/0.549 Envase tipo carrete S/0.385 Ver S/0.545 S/0.362 S/0.323 S/0.296 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	23 mOhms	10 V	1 V	16.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V SSM3J358R,LF Toshiba 1: S/2.06 127,177En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J358R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J358RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	127,177En existencias	Cinta cortada S/2.06 S/1.27 S/0.806 S/0.607 Envase tipo carrete S/0.455 Ver S/0.541 S/0.413 S/0.354 S/0.335 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	17.5 mOhms	10 V	1 V	38.5 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET SSM3J35CTC,L3F Toshiba 1: S/1.13 155,045En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J35CTC,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J35CTCL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	155,045En existencias	Cinta cortada S/1.13 S/0.514 S/0.448 S/0.331 Envase tipo carrete S/0.218 Ver S/0.296 S/0.249 S/0.183 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000	Si	SMD/SMT	CST3-3	P-Channel	1 Channel	20 V	250 mA	20 Ohms	10 V	1 V		- 55 C	+ 150 C	100 mW	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A SSM6J512NU,LF Toshiba 1: S/2.69 37,273En existencias 3,000Se espera el 5/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6J512NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J512NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii mosfets	Hoja de datos	37,273En existencias 3,000Se espera el 5/10/2026	Cinta cortada S/2.69 S/1.20 S/0.961 S/0.88 Envase tipo carrete S/0.732 Ver S/0.611 S/0.529 S/0.483	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	1 Channel	12 V	10 A	40.1 mOhms	10 V	1 V	19.5 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V SSM3J35AFS,LF Toshiba 1: S/0.934 11,349En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J35AFS,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J35AFSLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	11,349En existencias	Cinta cortada S/0.934 S/0.413 S/0.358 S/0.265 Envase tipo carrete S/0.191 Ver S/0.16 S/0.144 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-416-3	P-Channel	1 Channel	20 V	250 mA	1.1 Ohms	10 V	1 V		- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V SSM3J35AMFV,L3F Toshiba 1: S/0.973 11,421En existencias 48,000Se espera el 12/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3J35AMFV,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J35AMFVL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	11,421En existencias 48,000Se espera el 12/10/2026	Cinta cortada S/0.973 S/0.42 S/0.366 S/0.269 Envase tipo carrete S/0.14 Ver S/0.237 S/0.167 S/0.136 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 8,000	Si	SMD/SMT	SOT-723-3	P-Channel	1 Channel	20 V	250 mA	1.1 Ohms	10 V	1 V		- 55 C	+ 150 C	500 mW	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-12V, Id:-1A, Pd: 0.5W SSM3J64CTC,L3F Toshiba 1: S/1.83 630En existencias 10,000Se espera el 5/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM3J64CTC,L3F N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J64CTCL3F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-12V, Id:-1A, Pd: 0.5W Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii mosfets	Hoja de datos	630En existencias 10,000Se espera el 5/10/2026	Cinta cortada S/1.83 S/0.806 S/0.705 S/0.525 Envase tipo carrete S/0.304 Ver S/0.514 S/0.455 S/0.393 S/0.276 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 10,000	Si	SMD/SMT	CST3C-3	P-Channel	1 Channel	12 V	1 A	370 mOhms	10 V	1 V			+ 150 C	500 mW	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch SSM6J511NU,LF Toshiba 1: S/2.92 7,535En existencias 24,000Se espera el 5/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6J511NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J511NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii mosfets	Hoja de datos	7,535En existencias 24,000Se espera el 5/10/2026	Cinta cortada S/2.92 S/1.32 S/1.16 S/0.88 Envase tipo carrete S/0.67 Ver S/0.584 S/0.529 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	1 Channel	12 V	14 A	6.5 mOhms	10 V	1 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch x 2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.25A, Pd: 0.25W SSM6P35AFE,LF Toshiba 1: S/1.56 1,330En existencias 4,000Se espera el 12/02/2027	N.º de artículo del Fabricante SSM6P35AFE,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6P35AFELF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch x 2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.25A, Pd: 0.25W Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii mosfets	Hoja de datos	1,330En existencias 4,000Se espera el 12/02/2027	Cinta cortada S/1.56 S/0.685 S/0.596 S/0.444 Envase tipo carrete S/0.315 Ver S/0.436 S/0.269 S/0.241 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOT-563-6	P-Channel	2 Channel	20 V	250 mA	1.4 Ohms	10 V	1 V			+ 150 C	250 mW	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch x 2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.25A, Pd: 0.285W SSM6P35AFU,LF Toshiba 1: S/1.95 6,000Se espera el 5/10/2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6P35AFU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6P35AFULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Low Ron Pch x 2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Vdss:-20V, Id:-0.25A, Pd: 0.285W Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii mosfets	Hoja de datos	6,000Se espera el 5/10/2026	Cinta cortada S/1.95 S/0.864 S/0.755 S/0.568 Envase tipo carrete S/0.424 Ver S/0.564 S/0.366 S/0.308 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-363-6	P-Channel	2 Channel	20 V	250 mA	1.4 Ohms	10 V	1 V			+ 150 C	285 mW	Enhancement	U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel

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