UJ3C SiC FETs

onsemi UJ3C SiC FETs are Silicon Carbide (SiC) FETs are based on a unique cascode configuration and optimized for soft-switching designs. The UJ3C SiC FETs are ideal for upgrading an existing silicon-based device or starting a SiC-based design. These devices integrate a SiC JFET with a custom-designed Si-MOSFET to produce the ideal combination of normally-OFF operation, high-performance body diode, and easy gate drive of the MOSFET with the efficiency, speed, and high-temperature rating of the SiC JFET. As a result, existing systems can expect a performance increase with lower conduction and switching losses, enhanced thermal properties, and integrated gate ESD protection. 

Resultados: 11
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Hoja de datos
423En existencias
1,000Se espera el 28/12/2026
S/103.50
S/82.87
S/71.66
S/64.23
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Hoja de datos
1,352En existencias
2,000Se espera el 22/01/2027
S/43.01
S/30.01
S/25.03
S/22.30
S/21.10
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
713En existencias
S/47.06
S/25.89
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
1,310En existencias
S/81.86
S/49.86
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
513En existencias
S/100.35
S/64.62
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
356En existencias
S/142.70
S/106.11
S/100.66
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
617En existencias
S/82.44
S/50.29
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2
Hoja de datos
20En existencias
600Se espera el 16/11/2026
S/54.14
S/41.26
S/34.37
S/30.63
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
590En existencias
S/83.61
S/51.19
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
160En existencias
Cinta cortada
S/44.65
S/32.31
S/26.90
S/23.98
Envase tipo carrete
S/22.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
79En existencias
Cinta cortada
S/104.28
S/81.28
Ver
Envase tipo carrete
S/66.99
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET