DMP3014SFDE 30V P-Ch Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30V P-Ch Enhancement Mode MOSFETs offer low on-resistance and gate threshold voltage, while maintaining superior switching performance. The devices are ideal for high-efficiency power-management applications. The Diodes Inc. DMP3014SFDE MOSFETs are available in a U-DFN2020-6 package.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
Hoja de datos
2,870En existencias
Cinta cortada
S/ 4.36
S/ 2.11
S/ 1.86
Envase tipo carrete
S/ 1.86
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390
: 3,000
Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
Hoja de datos
15,266En existencias
Cinta cortada
S/ 1.95
S/ 1.12
S/ 1.05
Envase tipo carrete
S/ 1.05
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390
: 10,000
Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel