Resultados: 24
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947En existencias
Cinta cortada
S/82.05
S/61.66
S/58.43
S/58.35
Envase tipo carrete
S/58.35
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,256En existencias
Cinta cortada
S/106.85
S/83.10
S/79.29
S/78.67
Envase tipo carrete
S/78.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1,343En existencias
S/82.33
S/58.04
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1,830En existencias
Cinta cortada
S/36.75
S/21.49
S/20.09
S/19.00
Envase tipo carrete
S/19.00
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 60MOHM 900V 1,058En existencias
S/45.15
S/31.30
S/30.44
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 1,046En existencias
S/74.50
S/52.70
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 1,589En existencias
S/47.10
S/32.62
S/31.96
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V 1,858En existencias
Cinta cortada
S/108.72
S/84.35
S/79.84
Envase tipo carrete
S/79.84
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 497En existencias
S/39.47
S/26.20
S/24.68
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 794En existencias
Cinta cortada
S/50.21
S/32.81
S/31.26
S/31.06
Envase tipo carrete
S/31.06
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 202En existencias
S/111.99
S/78.63
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 380En existencias
S/42.58
S/27.64
S/26.20
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 314En existencias
S/46.83
S/32.66
S/32.00
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V 2,160En existencias
Cinta cortada
S/151.65
S/114.71
S/114.63
S/108.60
Envase tipo carrete
S/108.60
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V 755En existencias
S/150.45
S/106.07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V 330En existencias
Cinta cortada
S/51.73
S/33.20
S/31.41
Envase tipo carrete
S/31.41
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 426En existencias
Cinta cortada
S/53.21
S/31.68
S/29.97
Envase tipo carrete
S/29.97
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V 187En existencias
S/133.67
S/106.58
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1,733En existencias
S/40.09
S/28.34
S/23.59
S/21.02
S/19.70
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V 363En existencias
450Se espera el 10/11/2026
S/90.85
S/57.26
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 438En existencias
S/58.08
S/44.22
S/36.86
S/32.85
S/30.71
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 477En existencias
450Se espera el 18/06/2027
S/39.12
S/21.45
S/19.77
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 183En existencias
S/50.87
S/28.22
S/26.98
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 20MOHM 900V 64En existencias
450Se espera el 15/10/2026
S/115.88
S/80.65
S/79.37
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC