Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
DMG3415UFY4Q-7
Diodes Incorporated
1:
S/3.19
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621-DMG3415UFY4Q-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMPH1006UPSQ-13
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621-DMPH1006UPSQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
1,917 En existencias
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S/6.54
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMS3014SFGQ-7
Diodes Incorporated
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621-DMS3014SFGQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,950 En existencias
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S/4.83
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100
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S/1.08
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S/1.02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A
DMTH4004LK3-13
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621-DMTH4004LK3-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A
2,381 En existencias
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S/8.29
10
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100
S/3.52
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S/2.79
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S/2.22
5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V
BS107PSTZ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V
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Embalaje alternativo
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S/2.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
ZXMHC10A07T8TA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge
1,075 En existencias
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S/11.37
10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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DMN16M9UCA6-7
Diodes Incorporated
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621-DMN16M9UCA6-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
2,984 En existencias
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S/6.66
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S/4.13
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S/2.13
3,000
S/1.57
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S/1.82
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S/1.46
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S/1.38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
Diodes Incorporated DMN13M9UCA6-7
DMN13M9UCA6-7
Diodes Incorporated
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2,963 En existencias
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621-DMN13M9UCA6-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
2,963 En existencias
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S/7.01
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S/4.40
100
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S/2.29
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S/1.86
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
ZXMN6A07FQTA
Diodes Incorporated
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621-ZXMN6A07FQTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
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S/3.89
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A
DMP21D0UFB4-7B
Diodes Incorporated
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243,615 En existencias
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522-DMP21D0UFB4-7B
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A
243,615 En existencias
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S/1.83
10
S/0.814
100
S/0.712
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S/0.67
1,000
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S/0.265
1,000
S/0.584
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S/0.514
5,000
S/0.44
10,000
S/0.265
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Chnl UMOS
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ZXMN4A06GTA
Diodes Incorporated
1:
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35,218 En existencias
28,000 Se espera el 12/02/2027
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN4A06GTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Chnl UMOS
35,218 En existencias
28,000 Se espera el 12/02/2027
1
S/7.40
10
S/3.51
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S/3.08
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S/2.84
1,000
S/2.30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel self protected
ZXMS6004FFTA
Diodes Incorporated
1:
S/3.54
122,810 En existencias
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMS6004FFTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel self protected
122,810 En existencias
1
S/3.54
10
S/2.13
100
S/2.00
1,000
S/1.86
3,000
S/1.62
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300mW 50V DSS
+2 imágenes
BSS138-7-F
Diodes Incorporated
1:
S/0.934
935,145 En existencias
378,000 Se espera el 11/09/2026
N.º de artículo de Mouser
621-BSS138-7-F
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300mW 50V DSS
935,145 En existencias
378,000 Se espera el 11/09/2026
Embalaje alternativo
1
S/0.934
10
S/0.413
100
S/0.358
500
S/0.269
1,000
S/0.234
3,000
S/0.175
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMC3071LVT-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.37
225,372 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMC3071LVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
225,372 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.37
10
S/1.05
100
S/0.926
500
S/0.907
3,000
S/0.592
6,000
Ver
1,000
S/0.689
6,000
S/0.545
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
+1 imagen
DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.14
337,029 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
337,029 En existencias
1
S/2.14
10
S/0.95
500
S/0.712
1,000
S/0.611
3,000
S/0.467
6,000
S/0.44
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
+2 imágenes
DMN6075S-7
Diodes Incorporated
1:
S/1.79
320,529 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN6075S-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
320,529 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1.79
10
S/0.794
100
S/0.697
500
S/0.658
1,000
S/0.615
3,000
S/0.385
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Máx.: 3,000
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
+2 imágenes
DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated
1:
S/2.10
299,670 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN6140LQ-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
299,670 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2.10
10
S/1.28
100
S/0.817
500
S/0.615
1,000
S/0.549
3,000
S/0.459
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Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-CH MOSFET
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
1:
S/5.10
123,484 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-CH MOSFET
123,484 En existencias
1
S/5.10
10
S/2.37
100
S/2.10
500
S/1.67
2,500
S/1.67
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMP3018SFV-7
Diodes Incorporated
1:
S/4.01
92,025 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP3018SFV-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
92,025 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.01
10
S/1.83
100
S/1.62
500
S/1.46
1,000
S/1.23
2,000
S/1.02
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
+2 imágenes
DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated
1:
S/2.61
168,013 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
168,013 En existencias
1
S/2.61
10
S/1.17
100
S/1.03
500
S/0.969
1,000
S/0.841
2,500
S/0.603
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -20V -3.8A
+2 imágenes
DMP3099L-7
Diodes Incorporated
1:
S/1.56
349,293 En existencias
612,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMP3099L-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -20V -3.8A
349,293 En existencias
612,000 En pedido
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Embalaje alternativo
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349,293 Se puede enviar inmediatamente
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255,000 Se espera el 21/05/2027
357,000 Se espera el 21/06/2027
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40 Semanas
1
S/1.56
10
S/0.74
100
S/0.646
500
S/0.444
1,000
S/0.389
3,000
S/0.339
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3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 TO252,2.5K
DMP4015SK3-13
Diodes Incorporated
1:
S/6.38
44,554 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP4015SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 TO252,2.5K
44,554 En existencias
1
S/6.38
10
S/3.00
100
S/2.67
500
S/2.27
1,000
S/1.94
2,500
S/1.70
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Min.: 1
Mult.: 1
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2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
DMP6180SK3Q-13
Diodes Incorporated
1:
S/5.18
86,598 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMP6180SK3Q-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
86,598 En existencias
1
S/5.18
10
S/2.81
100
S/2.09
500
S/1.86
1,000
S/1.72
2,500
S/1.32
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
Carrete :
2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMN10A07ZTA
Diodes Incorporated
1:
S/4.16
14,127 En existencias
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN10A07ZTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS
14,127 En existencias
1
S/4.16
10
S/1.99
100
S/1.68
500
S/1.32
1,000
S/1.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
+2 imágenes
ZXMN6A07ZTA
Diodes Incorporated
1:
S/4.90
6,588 En existencias
7,000 Se espera el 16/07/2027
N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A07ZTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
6,588 En existencias
7,000 Se espera el 16/07/2027
1
S/4.90
10
S/2.34
100
S/1.99
500
S/1.56
1,000
S/1.33
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Carrete :
1,000
Detalles