Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 24
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
1,769En existencias
Cinta cortada
S/11.37
S/5.64
S/5.06
S/4.09
S/3.84
Envase tipo carrete
S/3.63
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
93,061En existencias
Cinta cortada
S/3.11
S/1.41
S/1.24
S/0.942
Envase tipo carrete
S/0.666
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
4,054En existencias
Cinta cortada
S/9.38
S/4.59
S/4.13
S/3.37
S/3.11
Envase tipo carrete
S/2.79
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,682En existencias
Cinta cortada
S/9.07
S/4.40
S/3.97
S/3.14
Envase tipo carrete
S/2.67
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
182,583En existencias
Cinta cortada
S/2.45
S/1.11
S/0.973
S/0.736
Envase tipo carrete
S/0.557
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
572,983En existencias
Cinta cortada
S/1.05
S/0.623
S/0.378
S/0.272
Envase tipo carrete
S/0.206
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Small Signal Switching Diodes SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
39,768En existencias
Cinta cortada
S/1.25
S/0.545
S/0.475
S/0.35
Envase tipo carrete
S/0.257
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Small Signal Switching Diodes SMD/SMT SOD-323
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
186,797En existencias
Cinta cortada
S/1.56
S/0.697
S/0.607
S/0.452
Envase tipo carrete
S/0.335
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
17,466En existencias
Cinta cortada
S/5.02
S/3.50
S/2.21
S/1.37
Envase tipo carrete
S/0.899
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min 685En existencias
10,000En pedido
Cinta cortada
S/5.92
S/3.73
S/2.48
S/2.36
Envase tipo carrete
S/1.62
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
8,211En existencias
129,000En pedido
Cinta cortada
S/1.99
S/0.88
S/0.771
S/0.576
Envase tipo carrete
S/0.428
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
7,400En existencias
9,000Se espera el 22/02/2027
Cinta cortada
S/1.60
S/0.712
S/0.623
S/0.463
Envase tipo carrete
S/0.343
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
4,979En existencias
Cinta cortada
S/1.79
S/1.10
S/0.693
S/0.518
Envase tipo carrete
S/0.385
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
14,968Se espera el 4/12/2026
Cinta cortada
S/2.96
S/1.33
S/1.17
S/0.88
Envase tipo carrete
S/0.67
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
9,107En existencias
Cinta cortada
S/2.37
S/1.06
S/0.934
S/0.705
Envase tipo carrete
S/0.533
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
136En existencias
Cinta cortada
S/7.82
S/3.75
S/3.35
S/2.65
Envase tipo carrete
S/2.18
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
118,895En pedido
Cinta cortada
S/3.39
S/1.55
S/1.37
S/1.05
Envase tipo carrete
S/0.806
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
184,149En pedido
Cinta cortada
S/0.701
S/0.428
S/0.265
S/0.195
Envase tipo carrete
S/0.093
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Small Signal Switching Diodes SMD/SMT SOD-523-2
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
67,500En pedido
Cinta cortada
S/3.39
S/1.53
S/1.35
S/1.03
Envase tipo carrete
S/0.79
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
10,390En pedido
Cinta cortada
S/3.19
S/1.97
S/1.27
S/0.969
Envase tipo carrete
S/0.747
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
5,000Se espera el 19/10/2026
Cinta cortada
S/3.23
S/1.47
S/1.29
S/0.985
Envase tipo carrete
S/0.755
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
6,000Se espera el 23/10/2026
Cinta cortada
S/3.39
S/1.54
S/1.36
S/1.04
Envase tipo carrete
S/0.751
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
Cinta cortada
S/2.92
S/1.32
S/1.16
S/0.88
Envase tipo carrete
S/0.876
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
No en existencias
Cinta cortada
S/0.413
S/0.366
S/0.272
Min.: 6,000
Mult.: 6,000
: 3,000
Small Signal Switching Diodes SMD/SMT USC-2