MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Id - Corriente de drenaje continua

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Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/79.99
1,559En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R022M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R022M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

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Hoja de datos

1,559En existencias

S/79.99

S/54.92

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/117.40
496En existencias
240Se espera el 27/05/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R012M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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Hoja de datos

496En existencias

240Se espera el 27/05/2027

S/117.40

S/77.58

S/68.08

S/67.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/87.39
609En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R017M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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Hoja de datos

609En existencias

S/87.39

S/63.53

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/66.48
451En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R026M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R026M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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Hoja de datos

451En existencias

S/66.48

S/43.05

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.86
1,001En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R034M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R034M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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Hoja de datos

1,001En existencias

S/55.86

S/34.22

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.36
739En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R053M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R053M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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Hoja de datos

739En existencias

S/43.36

S/27.25

S/23.04

S/20.47

S/19.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/46.48
1,992En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R040M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

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Hoja de datos

1,992En pedido

S/46.48

S/27.75

S/23.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.03
480Se espera el 7/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R078M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R078M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2

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Hoja de datos

480Se espera el 7/08/2026

S/41.03

S/26.74

S/21.45

S/17.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

78 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

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