DMPxx P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMPxx P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance. These devices are ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery management applications, power management functions, and DC-DC converters.

Resultados: 18
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss 9,228En existencias
Cinta cortada
S/4.28
S/2.03
S/1.74
Envase tipo carrete
S/1.74
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 27 A 25 mOhms 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss 104En existencias
12,500En pedido
Cinta cortada
S/5.72
S/3.04
S/2.31
Envase tipo carrete
S/2.31
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 350
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 18 A 20 mOhms 25 V 1 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A 49,208En existencias
42,000Se espera el 27/01/2027
Cinta cortada
S/2.45
S/1.10
S/0.965
S/0.942
Envase tipo carrete
S/0.942
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 720
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.3 A 50 mOhms 25 V 1 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss 545En existencias
Cinta cortada
S/4.36
S/2.03
S/1.76
S/1.56
S/1.38
Envase tipo carrete
S/0.973
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 8.7 A 13 mOhms 25 V 2.5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss 5,458En existencias
Cinta cortada
S/4.36
S/2.03
S/1.76
S/1.56
S/1.38
Envase tipo carrete
S/1.09
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 8.7 A 13 mOhms 25 V 1 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss 2,171En existencias
Cinta cortada
S/5.14
S/2.39
S/2.12
Envase tipo carrete
S/2.12
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 380
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 19.5 A 16 mOhms 25 V 1 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A 19En existencias
20,000En pedido
Cinta cortada
S/3.08
S/1.85
S/1.29
S/0.965
Envase tipo carrete
S/0.965
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 720
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W 3,983En existencias
7,500Se espera el 30/07/2027
Cinta cortada
S/6.11
S/2.86
S/2.55
Envase tipo carrete
S/2.55
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8.5 A 15 mOhms 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -40V ENH Min RDSon -20VGss 38En existencias
12,500En pedido
Cinta cortada
S/6.50
S/3.35
S/2.63
S/2.48
Envase tipo carrete
S/1.57
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 40 V 6.5 A 45 mOhms 20 V 1 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
14,765En pedido
Cinta cortada
S/5.37
S/2.54
S/2.20
Envase tipo carrete
S/2.20
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel 1 Channel 20 V 9 A 22 mOhms 8 V 350 mV 59 nC - 55 C + 150 C 2.02 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC
12,301En pedido
Cinta cortada
S/8.95
S/5.22
S/3.86
Envase tipo carrete
S/2.49
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel 1 Channel 250 V 260 mA 10 Ohms 40 V 500 mV 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
7,773En pedido
Cinta cortada
S/5.64
S/3.22
S/2.33
Envase tipo carrete
S/2.33
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 20 V 40 A 9 mOhms 10 V 400 mV 156 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
34,335En pedido
Cinta cortada
S/5.02
S/2.75
S/2.05
S/2.04
S/1.62
Envase tipo carrete
S/1.27
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.3 A 105 mOhms 20 V 1 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss
4,333Se espera el 16/11/2026
Cinta cortada
S/2.88
S/1.74
S/1.32
S/1.07
Envase tipo carrete
S/1.07
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 720
: 3,000
Si SMD/SMT X2-DFN1010-3 P-Channel 1 Channel 12 V 2 A 70 mOhms 8 V 350 mV 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
3,000Se espera el 15/10/2026
Cinta cortada
S/7.36
S/4.05
S/3.13
S/2.86
Envase tipo carrete
S/1.80
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT U-DFN2523-6 P-Channel 1 Channel 30 V 10.2 A 9.5 mOhms 25 V 1 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 29nC Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Cinta cortada
S/6.77
S/3.18
S/2.83
S/2.52
S/2.24
Envase tipo carrete
S/1.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 20 V 40 A 9 mOhms 12 V 400 mV 85 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Cinta cortada
S/8.49
S/5.41
S/3.63
S/2.94
Ver
Envase tipo carrete
S/2.52
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT U-DFN2020-E-6 P-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Envase tipo carrete
S/1.48
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000
Si SMD/SMT U-DFN2523-6 P-Channel 1 Channel Reel