Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

Resultados: 104
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
26,119Se espera el 13/05/2027
Cinta cortada
S/3.97
S/2.72
S/1.73
S/1.07
S/0.79
Envase tipo carrete
S/0.701
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SC-89-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 350 mA, 500 mA 396 mOhms, 756 mOhms 8 V 400 mV 1.3 nC, 1.65 nC - 55 C + 150 C 220 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6
93,959En pedido
Cinta cortada
S/3.08
S/2.13
S/1.35
S/0.833
S/0.615
Envase tipo carrete
S/0.549
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SC-89-6 N-Channel 2 Channel 20 V 610 mA 396 mOhms 8 V 400 mV 1.3 nC - 55 C + 150 C 220 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
24,993Se espera el 21/05/2027
Cinta cortada
S/5.45
S/2.27
S/2.01
S/1.56
S/1.52
Envase tipo carrete
S/1.25
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 8 A 24 mOhms, 27 mOhms 20 V 1 V, 1.2 V 13.3 nC, 41.5 nC - 55 C + 150 C 3.1 W, 3.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8
29,011En pedido
Cinta cortada
S/6.77
S/4.28
S/2.80
S/2.22
S/2.16
Envase tipo carrete
S/1.80
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 40 V 8 A 27 mOhms 20 V 1.2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8
24,000En pedido
Cinta cortada
S/6.34
S/3.56
S/2.48
S/2.07
S/1.94
Envase tipo carrete
S/1.48
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 6.1 A 51.6 mOhms 20 V 3 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
8,737En pedido
Cinta cortada
S/4.67
S/2.87
S/1.89
S/1.49
S/1.38
Envase tipo carrete
S/1.15
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT ChipFET-8 N-Channel 2 Channel 40 V 6 A 82 mOhms 20 V 2.5 V 5 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
2,429En pedido
Cinta cortada
S/9.81
S/4.79
S/4.32
S/3.44
S/3.34
Envase tipo carrete
S/2.93
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 3.25 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 93 nC - 55 C + 150 C 46.2 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
23,494Se espera el 23/12/2027
Cinta cortada
S/7.36
S/4.16
S/3.07
S/2.43
S/2.37
Envase tipo carrete
S/1.92
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 2 Channel 20 V 6 A 20.1 mOhms 8 V 400 mV 28 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
34,483Se espera el 5/08/2027
Cinta cortada
S/5.99
S/2.82
S/2.51
S/1.97
Envase tipo carrete
S/1.78
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 100 V 12.1 A 85 mOhms 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
12,229En pedido
Cinta cortada
S/8.10
S/5.14
S/3.46
S/2.80
S/2.74
Envase tipo carrete
S/2.35
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 12.1 A 14 mOhms 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 150 C 3.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
19,676Se espera el 24/04/2028
Cinta cortada
S/4.71
S/2.77
S/1.98
S/1.59
S/1.49
Envase tipo carrete
S/1.12
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4.3 A, 6 A 47 mOhms, 89 mOhms 20 V 1 V 6 nC, 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.78 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
10,000Se espera el 24/04/2028
Cinta cortada
S/9.96
S/5.88
S/4.32
S/3.62
S/3.46
Envase tipo carrete
S/3.00
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.8 A, 11.4 A 11.5 mOhms, 18.5 mOhms 20 V 1 V 7.8 nC, 11.6 nC - 55 C + 150 C 1.4 W, 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SO-8
2,134Se espera el 9/09/2027
Cinta cortada
S/9.61
S/6.11
S/4.13
S/3.34
S/3.16
Envase tipo carrete
S/2.86
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 12 V 8.9 A 18 mOhms 8 V 400 mV 52 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
12,000En pedido
Cinta cortada
S/4.16
S/2.55
S/1.78
S/1.28
S/1.16
Envase tipo carrete
S/0.887
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT ChipFET-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.7 A, 4 A 55 mOhms, 150 mOhms 12 V 600 mV 4.2 nC, 5.6 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
6,000Se espera el 18/10/2027
Cinta cortada
S/9.19
S/4.48
S/4.01
S/3.18
S/3.08
Envase tipo carrete
S/2.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 40 V 6 A 32 mOhms 20 V 1 V 19 nC - 50 C + 150 C 20.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
35,992Se espera el 24/04/2028
Cinta cortada
S/6.23
S/3.01
S/2.29
S/1.88
S/1.75
Envase tipo carrete
S/1.39
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 20 V 25 A 16.4 mOhms 8 V 400 mV 32 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
5,977Se espera el 4/02/2027
Cinta cortada
S/15.88
S/8.80
S/7.98
S/6.66
S/6.27
Envase tipo carrete
S/5.96
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 100 V 5.9 A 49 mOhms 20 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
17,975En pedido
Cinta cortada
S/9.30
S/5.92
S/4.01
S/3.22
S/3.08
Envase tipo carrete
S/2.70
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 25 A, 30 A 5.3 mOhms, 9.3 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC, 32 nC - 55 C + 150 C 22 W, 40 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
8,695Se espera el 5/08/2027
Cinta cortada
S/4.55
S/2.11
S/1.87
S/1.44
S/1.41
Envase tipo carrete
S/1.02
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 12 V 4.5 A 33 mOhms, 33 mOhms 8 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC70-6
2,449Se espera el 9/11/2026
Cinta cortada
S/2.96
S/1.33
S/1.17
S/0.891
Envase tipo carrete
S/0.681
S/0.596
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 2 Channel 20 V 1.3 A 490 mOhms 8 V 400 mV 4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 20V 1.3A
2,992Se espera el 24/04/2028
Cinta cortada
S/3.81
S/2.32
S/1.61
S/1.06
S/0.88
Envase tipo carrete
S/0.634
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 1.3 A 198 mOhms 8 V 1 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Cinta cortada
S/3.85
S/1.77
S/1.57
S/1.20
Envase tipo carrete
S/0.934
S/0.821
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 12 V, 20 V 4.5 A 23 mOhms, 44 mOhms 8 V 400 mV 16 nC, 25 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6 Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
Cinta cortada
S/1.36
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT MicroFoot-6 N-Channel 1 Channel 24 V 11 A 28 mOhms 12 V 400 mV - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
Cinta cortada
S/3.64
Min.: 6,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
Cinta cortada
S/4.90
S/2.27
S/2.01
S/1.55
S/1.47
Envase tipo carrete
S/1.22
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A, 30 A 11.5 mOhms, 28.5 mOhms - 16 V, 20 V 2.2 V, 2.4 V 6.6 nC, 10 nC - 55 C + 150 C 16 W, 16.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel