Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

Resultados: 104
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F 4,376En existencias
Cinta cortada
S/11.68
S/5.80
S/5.22
S/4.20
Envase tipo carrete
S/3.93
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 76 A, 197 A 3.07 mOhms, 1.05 mOhms - 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 125 nC - 55 C + 150 C 28 W, 74 W Enhancement TrenchFET; PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR
25En existencias
54,000Se espera el 24/04/2028
Cinta cortada
S/2.61
S/1.65
S/1.17
S/0.864
S/0.724
Envase tipo carrete
S/0.545
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 700 mA 388 mOhms, 890 mOhms 20 V 2.5 V 3 nC - 55 C + 150 C 340 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR 5,124En existencias
18,000Se espera el 22/07/2027
Cinta cortada
S/4.05
S/2.88
S/1.79
S/1.24
S/1.06
Envase tipo carrete
S/0.934
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 2.1 A, 3.9 A 58 mOhms, 195 mOhms 8 V 600 mV 3.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W, 1.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 412En existencias
15,000En pedido
Cinta cortada
S/6.15
S/3.43
S/2.68
S/1.98
S/1.83
Envase tipo carrete
S/1.48
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8.5 A 19.5 mOhms 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 506En existencias
Cinta cortada
S/4.16
S/2.59
S/1.69
S/1.30
Envase tipo carrete
S/0.973
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.8 A 40 mOhms 20 V 1.2 V 9 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR 681En existencias
18,000En pedido
Cinta cortada
S/4.05
S/2.88
S/1.79
S/1.24
S/1.04
Envase tipo carrete
S/0.934
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 12 V 4.5 A 29 mOhms, 41 mOhms 8 V 400 mV 15 nC, 26 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 8,307En existencias
12,000En pedido
Cinta cortada
S/3.04
S/2.50
S/1.56
S/1.07
S/0.93
Envase tipo carrete
S/0.81
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 2 Channel 30 V 4.5 A 58 mOhms 8 V 400 mV 9.5 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 44En existencias
3,000Se espera el 25/11/2027
Cinta cortada
S/4.40
S/2.71
S/1.79
S/1.40
S/1.32
Envase tipo carrete
S/1.09
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SC-70-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 54 mOhms 8 V 500 mV 25 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F 1,028En existencias
Cinta cortada
S/9.07
S/4.40
S/3.97
S/3.15
S/2.97
Envase tipo carrete
S/2.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel, NPN 2 Channel 30 V 40 A, 60 A 12.7 mOhms, 6.58 mOhms - 12 V, 16 V 1.1 V 14.6 nC, 62 nC - 55 C + 150 C 26.6 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR 44En existencias
15,000En pedido
Cinta cortada
S/6.23
S/3.85
S/2.24
S/1.75
S/1.72
Envase tipo carrete
S/1.41
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 5.8 A, 6.8 A 35.5 mOhms, 45 mOhms 20 V 1.2 V, 1.4 V 11.7 nC, 25 nC - 55 C + 150 C 3 W, 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET 2,148En existencias
Cinta cortada
S/5.06
S/2.35
S/2.09
S/1.62
Envase tipo carrete
S/1.28
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT ChipFET-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 36 mOhms, 100 mOhms 8 V 400 mV 11.3 nC, 11 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 609En existencias
18,000En pedido
Cinta cortada
S/7.86
S/4.09
S/3.79
S/3.04
S/2.78
Envase tipo carrete
S/2.59
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 25 A 9.3 mOhms 20 V 1.2 V 17 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 95En existencias
9,000Se espera el 9/03/2028
Cinta cortada
S/10.63
S/6.11
S/4.67
S/3.85
S/3.67
Envase tipo carrete
S/3.34
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 100 V 2.5 A 195 mOhms 20 V 3.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 2.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 6En existencias
12,000Se espera el 17/06/2027
Cinta cortada
S/9.50
S/6.07
S/4.16
S/3.50
S/3.10
Envase tipo carrete
S/2.93
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 60 A 5.8 mOhms 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 189En existencias
3,000En pedido
Cinta cortada
S/10.04
S/6.46
S/4.40
S/3.71
S/3.46
Envase tipo carrete
S/3.11
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 2 Channel 60 V 5 A 64 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs SO-8 119En existencias
2,500En pedido
Cinta cortada
S/7.90
S/4.44
S/3.32
S/2.62
S/2.40
Envase tipo carrete
S/2.16
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 20 V 8 A 18 mOhms 12 V 600 mV 22 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70 741En existencias
9,000En pedido
Cinta cortada
S/4.05
S/2.34
S/1.76
S/1.30
S/1.15
Envase tipo carrete
S/1.02
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 12 V 4.5 A 34 mOhms, 59 mOhms 8 V 400 mV 10 nC, 13 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 1,484En existencias
Cinta cortada
S/9.61
S/6.19
S/4.20
S/3.56
S/3.16
Envase tipo carrete
S/3.04
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 21 mOhms 20 V 1.2 V 21 nC - 55 C + 150 C 17.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR 257En existencias
Cinta cortada
S/6.85
S/3.23
S/2.88
S/2.27
Envase tipo carrete
S/1.81
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSSOP-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 6.1 A, 6.7 A 22 mOhms, 30 mOhms 8 V 600 mV 15 nC, 34 nC - 55 C + 150 C 1.6 W, 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC70-6
110,518En pedido
Cinta cortada
S/5.06
S/2.88
S/1.86
S/1.20
S/0.915
Envase tipo carrete
S/0.685
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 1.3 A 198 mOhms 8 V 1 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8
47,486En pedido
Cinta cortada
S/8.10
S/5.14
S/3.46
S/2.80
S/2.74
Envase tipo carrete
S/2.35
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 40 V 9.2 A 20 mOhms 20 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
47,400En pedido
Cinta cortada
S/7.20
S/4.48
S/2.93
S/2.30
S/1.97
Envase tipo carrete
S/1.78
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A, 40 A 9.5 mOhms, 5.1 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 19 nC, 35 nC - 55 C + 150 C 16.7 W, 31 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
35,500En pedido
Cinta cortada
S/8.60
S/4.16
S/3.73
S/2.97
Envase tipo carrete
S/2.48
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 19 mOhms 20 V 1.2 V 15 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
74,965Se espera el 18/02/2027
Cinta cortada
S/14.67
S/9.61
S/7.01
S/5.88
S/5.45
Envase tipo carrete
S/5.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 2 Channel 30 V 60 A 5.5 mOhms 20 V 2.2 V 106 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET
83,892En pedido
Cinta cortada
S/4.55
S/3.24
S/2.02
S/1.39
S/1.17
Envase tipo carrete
S/1.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SC70-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 40 mOhms, 90 mOhms 8 V 500 mV, 600 mV 3.7 nC, 5.3 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel