Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified SQ4961EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix 1: S/9.11 22,029En existencias	N.º de artículo del Fabricante SQ4961EY-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQ4961EY-T1_GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	22,029En existencias	Cinta cortada S/9.11 S/4.44 S/3.97 S/3.16 Envase tipo carrete S/2.84 Ver S/3.06 S/2.70 S/2.64 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	2 Channel	60 V	4.4 A	70 mOhms	20 V	2.5 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	3.3 W	Enhancement	AEC-Q101	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified SQ3985EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix 1: S/4.67 110,203En existencias	N.º de artículo del Fabricante SQ3985EV-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQ3985EV-T1_GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	110,203En existencias	Cinta cortada S/4.67 S/2.17 S/1.93 S/1.49 Envase tipo carrete S/1.17 Ver S/1.46 S/1.15 S/1.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	P-Channel	2 Channel	20 V	3.9 A	130 mOhms	8 V	1.5 V	3.1 nC	- 55 C	+ 175 C	3 W	Enhancement	AEC-Q101	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified SQ4949EY-T1_GE3 Vishay Semiconductors 1: S/9.73 31,270En existencias	N.º de artículo del Fabricante SQ4949EY-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQ4949EY-T1_GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay sqmosfets	Hoja de datos	31,270En existencias	Cinta cortada S/9.73 S/4.75 S/4.28 S/3.40 S/3.30 Envase tipo carrete S/2.89 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	2 Channel	30 V	7.5 A	28 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	3.3 W	Enhancement	AEC-Q101	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified SQ4937EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix 1: S/7.40 8,270En existencias	N.º de artículo del Fabricante SQ4937EY-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQ4937EY-T1_GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	8,270En existencias	Cinta cortada S/7.40 S/3.53 S/3.16 S/2.64 Envase tipo carrete S/2.14 Ver S/2.54 S/2.06 S/1.99	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	2 Channel	30 V	5 A	56 mOhms, 56 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	3.3 W	Enhancement	AEC-Q101	TrenchFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Semiconductors 1: S/4.52 33,391En existencias	N.º de artículo del Fabricante SQ3987EV-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQ3987EV-T1_GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay sqmosfets	Hoja de datos	33,391En existencias	Cinta cortada S/4.52 S/2.09 S/1.85 S/1.44 Envase tipo carrete S/1.12 Ver S/1.40 S/1.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	P-Channel	2 Channel	30 V	3 A	85 mOhms, 85 mOhms	20 V	2.5 V	12.2 nC	- 55 C	+ 175 C	1.67 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors 1: S/8.95 8,039En existencias	N.º de artículo del Fabricante SQJ951EP-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ951EP-T1_GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay sqmosfets	Hoja de datos	8,039En existencias	Cinta cortada S/8.95 S/4.36 S/3.89 S/3.10 S/3.00 Envase tipo carrete S/2.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-8-4	P-Channel	2 Channel	30 V	30 A	14 mOhms	20 V	2.5 V	50 nC	- 55 C	+ 175 C	56 W	Enhancement	AEC-Q101	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id SQM40061EL_GE3 Vishay / Siliconix 1: S/10.70 3,712En existencias 4,800Se espera el 20/11/2026	N.º de artículo del Fabricante SQM40061EL_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQM40061EL_GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	3,712En existencias 4,800Se espera el 20/11/2026	Cinta cortada S/10.70 S/5.29 S/4.75 S/3.59 Envase tipo carrete S/3.35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,600 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	100 A	5.1 mOhms	20 V	1.5 V	185 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors 1: S/10.70 3,800En existencias	N.º de artículo del Fabricante SQJ963EP-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SQJ963EP-T1_GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay sqmosfets	Hoja de datos	3,800En existencias	Cinta cortada S/10.70 S/5.29 S/4.75 S/3.80 S/3.74 Envase tipo carrete S/3.35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-8-4	P-Channel	2 Channel	60 V	8 A	67 mOhms, 67 mOhms	20 V	2.5 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	27 W	Enhancement	AEC-Q101	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id SQD40081EL_GE3 Vishay / Siliconix 1: S/7.98 7,791En pedido	N.º de artículo del Fabricante SQD40081EL_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQD40081EL_GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	7,791En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SQD40081EL_GE3 Existencias: 0 En pedido: 3,791 Se espera el 11/12/2026 4,000 Se espera el 5/05/2027 Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	Cinta cortada S/7.98 S/3.83 S/3.42 S/2.71 S/2.60 Envase tipo carrete S/2.29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	50 A	8.5 mOhms	20 V	2.5 V	210 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE SQJ763ELP-T1_GE3 Vishay 1: S/8.60 3,000Se espera el 8/03/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ763ELP-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ763ELP-T1_GE3 Nuevo producto	Vishay	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE Obtenga más información sobre Vishay sqmosfets	Hoja de datos	3,000Se espera el 8/03/2027	Cinta cortada S/8.60 S/5.45 S/3.69 S/2.99 Envase tipo carrete S/2.51 Ver S/2.68 S/2.38 S/2.16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-8L	P-Channel	1 Channel	60 V	- 22 A	85 mOhms	20 V	2.5 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	86 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel

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