Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 90 Amp

STP90NF03L
STMicroelectronics
1,000: S/3.50
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP90NF03L

N.º de artículo de Mouser
511-STP90NF03L

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 90 Amp

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

S/3.50

S/3.38

S/3.21

S/3.20

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 30 V 10 A SO-8 STri

STS10DN3LH5
STMicroelectronics
2,500: S/1.97
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STS10DN3LH5

N.º de artículo de Mouser
511-STS10DN3LH5

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 30 V 10 A SO-8 STri

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.97

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

10 A

21 mOhms

- 22 V, 22 V

1 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STB85NF55T4
STMicroelectronics
1,000: S/4.52
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB85NF55T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB85NF55

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 55V-2.9ohms 120A

STP190N55LF3
STMicroelectronics
1,000: S/9.07
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP190N55LF3

N.º de artículo de Mouser
511-STP190N55LF3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 55V-2.9ohms 120A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

S/9.07

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

55 V

120 A

3.7 mOhms

- 18 V, 18 V

1 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
2.4 A
4 A
5 A
6 A
6.5 A
7.5 A
9 A
10 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A
18 A
20 A
21 A
23 A
24 A

1.2 mOhms
2 mOhms
2.4 mOhms
3.2 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
4 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
5.8 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
6.2 mOhms
6.5 mOhms
7.5 mOhms
8 mOhms
8.5 mOhms
9 mOhms

900 pC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
5 nC
5.7 nC
6 nC
6.5 nC
7 nC
7.3 nC
7.5 nC
10 nC
10.5 nC
12 nC
13 nC
14 nC
14.1 nC
15 nC
16 nC
17 nC

2 W
2.5 W
3.3 W
4.8 W
25 W
30 W
33 W
40 W
45 W
50 W
55 W
60 W
62.5 W
70 W
72 W
80 W
85 W
90 W
95 W
100 W