OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

Resultados: 16
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 987En existencias
Cinta cortada
S/ 27.05
S/ 17.75
S/ 13.08
S/ 11.60
Envase tipo carrete
S/ 10.39
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin 1,000En existencias
Cinta cortada
S/ 28.22
S/ 15.10
S/ 13.82
S/ 13.12
Envase tipo carrete
S/ 10.86
S/ 10.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL 951En existencias
Cinta cortada
S/ 39.63
S/ 21.88
S/ 20.55
S/ 19.42
Envase tipo carrete
S/ 19.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 6,067En existencias
Cinta cortada
S/ 15.49
S/ 7.86
S/ 7.12
S/ 5.88
S/ 5.64
Envase tipo carrete
S/ 5.53
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 6,064En existencias
Cinta cortada
S/ 15.30
S/ 9.11
S/ 6.85
S/ 5.61
Envase tipo carrete
S/ 5.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V 676En existencias
Cinta cortada
S/ 21.29
S/ 11.09
S/ 10.12
S/ 8.99
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Envase tipo carrete
S/ 7.32
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 2.5 mOhms 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220 420En existencias
S/ 25.85
S/ 17.36
S/ 12.53
S/ 10.90
Min.: 1
Mult.: 1
Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 870En existencias
Cinta cortada
S/ 14.60
S/ 7.47
S/ 6.66
S/ 5.49
Ver
Envase tipo carrete
S/ 4.83
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 240En existencias
Cinta cortada
S/ 14.99
S/ 7.55
S/ 6.81
S/ 5.57
Ver
Envase tipo carrete
S/ 4.83
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V 665En existencias
Cinta cortada
S/ 13.55
S/ 6.77
S/ 6.15
S/ 4.98
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Envase tipo carrete
S/ 4.55
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 171 A 2.5 mOhms 20 V 3.5 V 80 V - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 3,766En existencias
Cinta cortada
S/ 27.71
S/ 14.79
S/ 13.55
S/ 12.81
Envase tipo carrete
S/ 10.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 5,559En existencias
Cinta cortada
S/ 8.56
S/ 4.13
S/ 3.70
S/ 2.94
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Envase tipo carrete
S/ 2.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
4,655Se espera el 11/02/2027
Cinta cortada
S/ 26.43
S/ 14.05
S/ 12.88
S/ 12.03
Envase tipo carrete
S/ 11.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
4,982Se espera el 17/06/2027
Cinta cortada
S/ 18.18
S/ 9.58
S/ 8.49
S/ 7.20
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Envase tipo carrete
S/ 6.34
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
4,997Se espera el 11/03/2027
Cinta cortada
S/ 10.28
S/ 5.06
S/ 4.55
S/ 3.63
Envase tipo carrete
S/ 3.12
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
3,990Se espera el 25/03/2027
Cinta cortada
S/ 23.20
S/ 12.53
S/ 11.41
S/ 10.43
S/ 10.20
Envase tipo carrete
S/ 8.49
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
OptiMOS Reel, Cut Tape