Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 15

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

BSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.05
23,350En existencias
35,000Se espera el 22/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC030N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC030N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A

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Hoja de datos

23,350En existencias

35,000Se espera el 22/04/2027

Cinta cortada

S/11.05

S/7.12

S/4.90

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.97

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.43
59,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ075N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Hoja de datos

59,322En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.87

S/3.48

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.52
10,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ084N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ084N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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Hoja de datos

10,646En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.68

S/2.92

Ver

Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.19
21,455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5IATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5IATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Hoja de datos

21,455En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.01

S/3.52

Envase tipo carrete

S/3.52

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

950 uOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC037N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
19,828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC037N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC037N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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Hoja de datos

19,828En existencias

Cinta cortada

S/11.29

S/7.28

S/4.94

S/4.13

Ver

Envase tipo carrete

S/3.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.86
1,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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Hoja de datos

1,896En existencias

Cinta cortada

S/23.86

S/15.96

S/12.30

Envase tipo carrete

S/12.30

S/9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

223 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
10,526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Hoja de datos

10,526En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.10

Ver

Envase tipo carrete

S/2.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.25 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.90
3,994En existencias
5,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC026N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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Hoja de datos

3,994En existencias

5,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/13.90

S/9.07

S/6.31

S/5.80

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
14,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC026NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS

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Hoja de datos

14,995En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/3.67

S/2.42

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

82 A

4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
5,313En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC040N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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Hoja de datos

5,313En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/10.35

S/6.70

S/4.59

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.34
13,138En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

13,138En existencias

Cinta cortada

S/9.34

S/5.99

S/4.09

S/3.68

Envase tipo carrete

S/3.68

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.76
4,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC061N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

4,695En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.61

S/3.80

S/3.28

Envase tipo carrete

S/3.28

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

82 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.79
22,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC117N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC117N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

22,439En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.90

S/3.22

S/2.55

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

49 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.48
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB020N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

778En existencias

Cinta cortada

S/17.48

S/11.52

S/8.60

Envase tipo carrete

S/6.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.29
30,160En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

30,160En pedido

Cinta cortada

S/8.29

S/5.22

S/3.42

S/2.71

Ver

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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