Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 14,866En existencias
10,000Se espera el 5/11/2026
Cinta cortada
S/ 9.11
S/ 4.44
S/ 3.97
S/ 3.16
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Envase tipo carrete
S/ 2.64
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 7 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
2,983Se espera el 28/01/2027
Cinta cortada
S/ 14.99
S/ 9.77
S/ 6.85
S/ 5.72
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Envase tipo carrete
S/ 4.98
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 7 mOhms 20 V 3.8 V 38 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape