Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 41.77 12,646En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R037P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R037P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,646En existencias	S/ 41.77 S/ 22.69 S/ 20.98 S/ 20.82	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,000	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	76 A	30 mOhms	20 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R180P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 16.15 32,195En existencias 43,200Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPW60R180P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	32,195En existencias 43,200Se espera el 28/01/2027	S/ 16.15 S/ 7.98 S/ 7.28 S/ 6.03 S/ 5.99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.93 7,574En existencias 500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPA80R750P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R750P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,574En existencias 500En pedido	S/ 9.93 S/ 4.83 S/ 4.44 S/ 3.52 S/ 2.86	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 23.74 1,282En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R080P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R080P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,282En existencias	Cinta cortada S/ 23.74 S/ 12.46 S/ 11.37 S/ 10.20 Envase tipo carrete S/ 9.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R180P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.00 7,515En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R180P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,515En existencias	Cinta cortada S/ 13.00 S/ 6.50 S/ 5.88 S/ 4.75 Envase tipo carrete S/ 4.36 S/ 4.32	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.82 4,443En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R280P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R280P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,443En existencias	Cinta cortada S/ 10.82 S/ 5.33 S/ 4.79 S/ 3.85 Envase tipo carrete S/ 3.54 S/ 3.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R280P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.47 4,672En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R280P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R280P7SAUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,672En existencias	Cinta cortada S/ 7.47 S/ 3.55 S/ 3.11 S/ 2.46 Envase tipo carrete S/ 1.93 Ver S/ 2.33 S/ 1.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 4.09 30,088En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD70R1K4P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R1K4P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	30,088En existencias	Cinta cortada S/ 4.09 S/ 1.88 S/ 1.66 S/ 1.28 Envase tipo carrete S/ 1.01 Ver S/ 1.23 S/ 0.895 S/ 0.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	22.7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 55.58 1,004En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R024P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R024P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,004En existencias	S/ 55.58 S/ 31.14 S/ 29.97	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	101 A	24 mOhms	20 V	3.5 V	164 nC	- 55 C	+ 150 C	291 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 37.25 1,028En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R045P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,028En existencias	S/ 37.25 S/ 23.51 S/ 18.06 S/ 17.44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 22.58 1,716En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,716En existencias	S/ 22.58 S/ 11.83 S/ 10.78 S/ 9.19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 20.01 794En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R099P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R099P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	794En existencias	S/ 20.01 S/ 10.39 S/ 9.46 S/ 7.79	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R120P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 17.24 1,662En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R120P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R120P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,662En existencias	S/ 17.24 S/ 8.84 S/ 8.02 S/ 6.54	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 12.92 1,615En existencias 1,500Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPA60R180P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R180P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,615En existencias 1,500Se espera el 28/01/2027	S/ 12.92 S/ 6.46 S/ 5.84 S/ 4.90 Ver S/ 4.83 S/ 4.71 S/ 4.44	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	145 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.56 8,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R280P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R280P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8,000En existencias	S/ 8.56 S/ 4.16 S/ 3.70 S/ 2.94 Ver S/ 2.81 S/ 2.55 S/ 2.46	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	24 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R060P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 25.57 587En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPB60R060P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R060P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	587En existencias 2,000Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada S/ 25.57 S/ 14.48 S/ 13.16 S/ 12.07 Envase tipo carrete S/ 10.98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	48 A	49 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 55 C	+ 150 C	164 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R120P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 17.24 4,974En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R120P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R120P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,974En existencias	Cinta cortada S/ 17.24 S/ 8.84 S/ 7.98 S/ 6.77 Envase tipo carrete S/ 6.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	26 A	100 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	95 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.98 13,139En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R180P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R180P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	13,139En existencias	Cinta cortada S/ 10.98 S/ 5.57 S/ 5.02 S/ 4.05 Envase tipo carrete S/ 3.57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	180 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.81 2,502En existencias 2,500Se espera el 25/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IPD60R280P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R280P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,502En existencias 2,500Se espera el 25/02/2027	Cinta cortada S/ 9.81 S/ 4.79 S/ 4.24 S/ 3.41 Envase tipo carrete S/ 2.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	53 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 4.83 6,108En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600P7SAUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	6,108En existencias	Cinta cortada S/ 4.83 S/ 2.25 S/ 2.00 S/ 1.55 Envase tipo carrete S/ 1.25 Ver S/ 1.53 S/ 1.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	600 mOhms	20 V	3.5 V	9 nC	- 40 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 14.25 7,135En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R280P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R280P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,135En existencias	Cinta cortada S/ 14.25 S/ 7.98 S/ 7.24 S/ 5.99 S/ 5.96 Envase tipo carrete S/ 5.61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	280 mOhms	30 V	3 V	36 nC	- 50 C	+ 150 C	101 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R600P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.89 5,287En existencias 5,000Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPD80R600P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R600P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5,287En existencias 5,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada S/ 9.89 S/ 4.98 S/ 4.32 S/ 3.55 Envase tipo carrete S/ 2.95 Ver S/ 3.26 S/ 2.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	510 mOhms	20 V	2.5 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.55 12,487En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R2K0P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R2K0P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,487En existencias	Cinta cortada S/ 7.55 S/ 3.60 S/ 3.16 S/ 2.51 Envase tipo carrete S/ 2.04 Ver S/ 2.37 S/ 1.92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.43 4,916En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,916En existencias	Cinta cortada S/ 10.43 S/ 5.14 S/ 4.63 S/ 3.69 S/ 3.61 Envase tipo carrete S/ 3.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	9 A	750 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R085P7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 25.77 2,742En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R085P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R085P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,742En existencias	Cinta cortada S/ 25.77 S/ 13.58 S/ 12.42 S/ 11.37 S/ 10.63 Envase tipo carrete S/ 10.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	39 A	73 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 40 C	+ 150 C	154 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape