Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 15

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET IRF840ALPBF Vishay Semiconductors 1: S/5.64 3,742En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ALPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ALPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	3,742En existencias	S/5.64	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/10.98 2,107En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCPBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF840LCPBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	2,107En existencias	S/10.98 S/7.08 S/4.87 S/3.97 Ver S/3.66 S/3.53 S/3.43	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/10.39 9,084En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF840APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	9,084En existencias	S/10.39 S/6.11 S/4.59 S/3.87 S/3.43	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCSPBF Vishay Semiconductors 1: S/16.62 235En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCSPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840LCSPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	235En existencias	S/16.62 S/10.90 S/8.14 S/6.81 Ver S/6.27 S/6.15 S/5.92	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCLPBF Vishay Semiconductors 1: S/16.39 861En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840LCLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	861En existencias	S/16.39 S/8.33 S/7.55 S/6.19 S/6.15	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-262-3													Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840APBF Vishay Semiconductors 1: S/12.03 4,212En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840APBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840APBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	4,212En existencias	S/12.03 S/7.75 S/5.25 S/4.83	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840ASPBF Vishay Semiconductors 1: S/14.79 11,018En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ASPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ASPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	11,018En existencias	S/14.79 S/7.47 S/6.70 S/5.57 S/4.48	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V IRF840ASTRRPBF Vishay Semiconductors 1: S/15.84 1,244En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840ASTRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ASTRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V	Hoja de datos	1,244En existencias	Cinta cortada S/15.84 S/10.39 S/7.28 S/6.31 Envase tipo carrete S/5.68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,600 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840LCPBF Vishay Semiconductors 1: S/11.76 3,036En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840LCPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840LCPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	3,036En existencias	S/11.76 S/6.85 S/5.61 S/4.71 Ver S/4.67 S/4.28	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	4 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840PBF Vishay Semiconductors 1: S/10.28 7,135En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840PBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840PBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	7,135En existencias	S/10.28 S/6.54 S/5.14 S/4.55 S/4.28	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840SPBF Vishay Semiconductors 1: S/10.98 2,760En existencias 16,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF840SPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840SPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	2,760En existencias 16,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRF840SPBF Existencias: 2,760 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 7,000 Se espera el 8/10/2026 9,000 Se espera el 26/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 18 Semanas	S/10.98 S/5.41 S/4.83 S/3.93	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET IRF840PBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/10.70 841En existencias 1,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF840PBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF840PBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	841En existencias 1,000En pedido	S/10.70 S/5.25 S/4.75 S/3.79	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840STRLPBF Vishay Semiconductors 1: S/12.65 775En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF840STRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840STRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	775En existencias	Cinta cortada S/12.65 S/8.14 S/5.61 S/5.33 Envase tipo carrete S/4.79 S/4.48 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	3.1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET IRF840STRRPBF Vishay Semiconductors 1: S/14.75 227En existencias 800Se espera el 8/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF840STRRPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840STRRPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET	Hoja de datos	227En existencias 800Se espera el 8/10/2026	Cinta cortada S/14.75 S/9.65 S/6.73 S/5.22 Envase tipo carrete S/5.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	3.1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp IRF840ASTRLPBF Vishay Semiconductors 1: S/12.96 798Se espera el 23/09/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF840ASTRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF840ASTRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp	Hoja de datos	798Se espera el 23/09/2026	Cinta cortada S/12.96 S/8.41 S/5.80 S/4.71 Envase tipo carrete S/4.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	8 A	850 mOhms	30 V	2 V	38 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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