Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840APBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.47
9,334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840APBF-BE3

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78-IRF840APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

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9,334En existencias

S/10.47

S/6.81

S/4.71

S/4.01

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840LCLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/16.39
861En existencias

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IRF840LCLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840LCLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET

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861En existencias

S/16.39

S/8.33

S/7.55

S/6.19

S/5.92

Min.: 1
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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840ASPBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.70
11,069En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840ASPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840ASPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

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S/13.70

S/6.93

S/5.80

S/4.87

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SMD/SMT

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1 Channel

500 V

8 A

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- 30 V, 30 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V

IRF840ASTRRPBF
Vishay Semiconductors
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1,244En existencias

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IRF840ASTRRPBF

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844-IRF840ASTRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V

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1,244En existencias

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S/15.84

S/10.39

S/7.28

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.68

S/5.02

MouseReel Disponible

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: 800

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840PBF
Vishay Semiconductors
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7,814En existencias

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IRF840PBF

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844-IRF840PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

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S/10.16

S/5.76

S/5.10

S/4.28

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Mult.: 1

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+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/11.02
1,898En existencias
8,000Se espera el 5/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRF840SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

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1,898En existencias

8,000Se espera el 5/07/2027

S/11.02

S/5.18

S/4.40

S/3.89

Ver

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8 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

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+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.65
2,232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840LCPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF840LCPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET

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S/12.65

S/8.14

S/5.61

S/5.53

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Mult.: 1

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1 Channel

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8 A

850 mOhms

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- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840ALPBF
Vishay Semiconductors
1: S/15.69
3,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840ALPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840ALPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET

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3,740En existencias

S/15.69

S/7.98

S/7.24

S/5.92

Ver

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TO-262-3

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1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840LCPBF
Vishay Semiconductors
1: S/11.87
3,114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840LCPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840LCPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

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3,114En existencias

S/11.87

S/6.38

S/4.98

S/4.24

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.70
841En existencias
1,000Se espera el 5/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF840PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF840PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

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841En existencias

1,000Se espera el 5/08/2026

S/10.70

S/6.58

S/4.75

S/3.79

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840APBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.98
1,718En existencias
3,000Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF840APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET

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1,718En existencias

3,000Se espera el 17/08/2026

S/10.98

S/7.08

S/5.25

S/4.83

S/4.71

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/12.65
1,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,280En existencias

Cinta cortada

S/12.65

S/8.14

S/5.61

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.79

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

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3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840STRRPBF
Vishay Semiconductors
1: S/14.75
382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840STRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840STRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

382En existencias

Cinta cortada

S/14.75

S/9.65

S/6.73

S/5.22

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

IRF840LCSPBF
Vishay Semiconductors
1: S/16.62
235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF840LCSPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840LCSPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET

Hoja de datos

235En existencias

S/16.62

S/8.41

S/7.01

S/6.31

S/5.99

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp

IRF840ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/12.96
4,000Existencias disponibles

N.º de artículo del Fabricante
IRF840ASTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF840ASTRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp

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4,000Existencias disponibles

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Cinta cortada

S/12.96

S/8.41

S/5.80

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.63

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Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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