Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD19N10LTM
onsemi
1: S/6.85
28,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD19N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD19N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

28,751En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/3.25

S/2.90

S/2.28

S/2.11

Envase tipo carrete

S/2.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,250

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

15.6 A

100 mOhms

20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

FQD18N20V2TM
onsemi
1: S/8.37
21,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD18N20V2TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD18N20V2TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

Hoja de datos

21,886En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/4.05

S/3.16

S/2.68

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,250

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

15 A

140 mOhms

30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQB34P10TM
onsemi
1: S/16.93
9,114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQB34P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQB34P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

9,114En existencias

Cinta cortada

S/16.93

S/8.64

S/7.86

S/6.23

Envase tipo carrete

S/6.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

33.5 A

60 mOhms

25 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

FQD2N60CTM
onsemi
1: S/5.76
11,538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD2N60CTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD2N60CTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

Hoja de datos

11,538En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/2.70

S/2.40

S/1.88

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1.9 A

3.6 Ohms

30 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM
onsemi
1: S/5.22
15,106En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

15,106En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/2.43

S/2.16

S/1.68

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,250

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

6.6 A

530 mOhms

30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

FQPF19N20C
onsemi
1: S/9.15
3,059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQPF19N20C

N.º de artículo de Mouser
512-FQPF19N20C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

Hoja de datos

3,059En existencias

S/9.15

S/4.48

S/4.01

S/3.22

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

19 A

170 mOhms

30 V

2 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

QFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

FDMC2523P
onsemi
1: S/10.28
6,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMC2523P

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC2523P

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

Hoja de datos

6,355En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/5.22

S/4.52

S/3.74

S/3.37

Envase tipo carrete

S/3.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 3,000

SMD/SMT

Power-33-8

P-Channel

1 Channel

150 V

3 A

1.5 Ohms

30 V

5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

QFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

FQD7P20TM
onsemi
1: S/7.43
17,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD7P20TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD7P20TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

Hoja de datos

17,783En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/3.55

S/2.93

S/2.51

S/2.36

Envase tipo carrete

S/2.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,250

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

5.7 A

690 mOhms

30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

FQAF11N90C
onsemi
1: S/22.89
234En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
FQAF11N90C

N.º de artículo de Mouser
512-FQAF11N90C

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

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Hoja de datos

234En existencias

S/22.89

S/13.00

S/12.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7.2 A

1.1 Ohms

30 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

QFET

Tube

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