Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series FQD18N20V2TM onsemi 1: S/ 8.84 21,586En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD18N20V2TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD18N20V2TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series	Hoja de datos	21,586En existencias	Cinta cortada S/ 8.84 S/ 5.61 S/ 3.77 S/ 3.06 S/ 2.74 Envase tipo carrete S/ 2.56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	15 A	140 mOhms	30 V	3 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level FQD19N10LTM onsemi 1: S/ 7.47 29,970En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD19N10LTM N.º de artículo de Mouser 512-FQD19N10LTM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level	Hoja de datos	29,970En existencias	Cinta cortada S/ 7.47 S/ 4.67 S/ 3.08 S/ 2.44 Envase tipo carrete S/ 1.98 Ver S/ 2.17 S/ 1.91 S/ 1.86 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	15.6 A	100 mOhms	20 V	1 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET FQB34P10TM onsemi 1: S/ 17.87 8,701En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQB34P10TM N.º de artículo de Mouser 512-FQB34P10TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET	Hoja de datos	8,701En existencias	Cinta cortada S/ 17.87 S/ 11.72 S/ 8.72 S/ 7.32 Envase tipo carrete S/ 6.77 S/ 6.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	P-Channel	1 Channel	100 V	33.5 A	60 mOhms	25 V	4 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	3.75 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET FDMC2523P onsemi 1: S/ 10.55 6,035En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDMC2523P N.º de artículo de Mouser 512-FDMC2523P	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET	Hoja de datos	6,035En existencias	Cinta cortada S/ 10.55 S/ 6.77 S/ 4.59 S/ 3.89 S/ 3.46 Envase tipo carrete S/ 3.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 3,000	Si	SMD/SMT	Power-33-8	P-Channel	1 Channel	150 V	3 A	1.5 Ohms	30 V	5 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	42 W	Enhancement	QFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET FQD2N60CTM onsemi 1: S/ 6.97 18,378En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD2N60CTM N.º de artículo de Mouser 512-FQD2N60CTM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET	Hoja de datos	18,378En existencias	Cinta cortada S/ 6.97 S/ 4.32 S/ 2.85 S/ 2.23 Envase tipo carrete S/ 1.73 Ver S/ 1.91 S/ 1.54 S/ 1.48 S/ 1.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	1.9 A	3.6 Ohms	30 V	2 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET FQD7P20TM onsemi 1: S/ 8.33 14,134En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD7P20TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD7P20TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET	Hoja de datos	14,134En existencias	Cinta cortada S/ 8.33 S/ 5.22 S/ 3.44 S/ 2.73 Envase tipo carrete S/ 2.22 Ver S/ 2.43 S/ 2.13 S/ 2.06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	200 V	5.7 A	690 mOhms	30 V	5 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET FQD8P10TM onsemi 1: S/ 6.11 12,737En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD8P10TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD8P10TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET	Hoja de datos	12,737En existencias	Cinta cortada S/ 6.11 S/ 3.77 S/ 2.48 S/ 1.95 Envase tipo carrete S/ 1.51 Ver S/ 1.67 S/ 1.34 S/ 1.30 S/ 1.26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	100 V	6.6 A	530 mOhms	30 V	4 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET FQPF19N20C onsemi 1: S/ 10.67 1,849En existencias 2,000Se espera el 5/11/2026	N.º de artículo del Fabricante FQPF19N20C N.º de artículo de Mouser 512-FQPF19N20C	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET	Hoja de datos	1,849En existencias 2,000Se espera el 5/11/2026	S/ 10.67 S/ 6.85 S/ 5.02 S/ 4.94	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	19 A	170 mOhms	30 V	2 V	53 nC	- 55 C	+ 150 C	43 W	Enhancement	QFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET FQAF11N90C onsemi 1: S/ 22.89 232En existencias Pedido especial de fábrica	N.º de artículo del Fabricante FQAF11N90C N.º de artículo de Mouser 512-FQAF11N90C Pedido especial de fábrica	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET Obtenga más información sobre onsemi fairchild cloud power management	Hoja de datos	232En existencias	S/ 22.89 S/ 13.00 S/ 12.96 Ver S/ 12.11 S/ 11.37 S/ 11.09 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7.2 A	1.1 Ohms	30 V	3 V	80 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement	QFET	Tube

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