Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs

Vishay TrenchFET^® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs feature top-side cooling and offer an additional venue for thermal transfer. These MOSFETs come in the PowerPAK^® SO-8DC package. The TrenchFET double cooling MOSFETs offer variants with different drain-source breakdown voltages of 25V, 30V, 40V, 60V, 80V, 100V, 150V, and 200V. These N-channel MOSFETs operate at a temperature range from -55°C to 150°C. The TrenchFET MOSFETs can be utilized for product-specific applications including synchronous rectification, DC/DC conversion, power supplies, battery management, and others.

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Resultados: 13

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC

SIDR668ADP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.45
18,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR668ADP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR668ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

18,008En existencias

Cinta cortada

S/15.45

S/7.82

S/7.08

S/5.84

Envase tipo carrete

S/5.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8DC

N-Channel

1 Channel

100 V

104 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR668DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.56
50,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR668DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR668DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

50,929En existencias

Cinta cortada

S/17.56

S/11.48

S/8.56

S/7.20

S/6.66

Envase tipo carrete

S/6.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

95 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR870ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.60
21,884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR870ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR870ADP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

21,884En existencias

Cinta cortada

S/11.60

S/5.76

S/5.18

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

95 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR638DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.65
8,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR638DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR638DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

8,682En existencias

Cinta cortada

S/15.65

S/10.20

S/7.43

S/6.23

S/5.80

Envase tipo carrete

S/5.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.16 mOhms

- 16 V, 20 V

2.3 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR392DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.28
1,069En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR392DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR392DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

1,069En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/8.84

S/8.02

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

620 uOhms

- 10 V, 10 V

1 V

125 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR610DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.31
2,884En existencias
8,985Se espera el 11/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIDR610DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR610DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

2,884En existencias

8,985Se espera el 11/09/2026

Cinta cortada

S/19.31

S/12.65

S/9.42

S/8.06

Envase tipo carrete

S/6.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

200 V

39.6 A

31.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR622DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.53
6,418En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR622DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR622DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

6,418En existencias

Cinta cortada

S/15.53

S/7.86

S/7.12

S/5.88

Envase tipo carrete

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

64.6 A

17.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR626DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.91
2,395En existencias
9,000Se espera el 11/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIDR626DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR626DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

2,395En existencias

9,000Se espera el 11/09/2026

Cinta cortada

S/17.91

S/9.19

S/8.37

S/7.71

S/7.28

Envase tipo carrete

S/6.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR390DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.78
156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR390DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR390DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

156En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/8.56

S/7.79

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.15 mOhms

- 16 V, 20 V

800 mV

102 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR402DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.53
3,000Se espera el 5/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SIDR402DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR402DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

3,000Se espera el 5/10/2026

Cinta cortada

S/15.53

S/7.90

S/7.16

S/5.88

Envase tipo carrete

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.16 mOhms

- 16 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR680DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.56
8,893Se espera el 6/12/2027

N.º de artículo del Fabricante
SIDR680DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR680DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

8,893Se espera el 6/12/2027

Cinta cortada

S/17.56

S/11.33

S/8.45

S/7.08

S/6.58

Envase tipo carrete

S/6.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

69.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC

SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
6,000: S/4.87
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR140DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR140DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/4.87

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

670 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

170 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 69.9A

SIDR390DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
6,000: S/5.88
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIDR390DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIDR390DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 30V 69.9A

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/5.88

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.15 mOhms

- 16 V, 20 V

2 V

153 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

TrenchFET® Gen IV Top-Side Double Cooling MOSFETs

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