Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
4,054En existencias
Cinta cortada
S/9.38
S/4.59
S/4.13
S/3.32
S/3.11
Envase tipo carrete
S/2.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
447En existencias
Cinta cortada
S/32.54
S/25.18
S/23.36
S/21.37
Ver
Envase tipo carrete
S/18.26
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
256En existencias
Cinta cortada
S/7.82
S/3.75
S/3.35
S/2.65
Envase tipo carrete
S/2.18
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
215En existencias
2,000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
S/8.10
S/3.93
S/3.49
S/2.77
S/2.64
Envase tipo carrete
S/2.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000